KCI등재
모양으로 유도된 자기 이방성을 가진Ni80Fe20/SiO2 다층막의 자기적 성질 = Magnetic Properties of RF Diode Sputtered Ni80Fe20/SiO2 Multilayers
저자
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
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2007
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
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1-6(6쪽)
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This study investigated the magnetic properties of Ni80Fe20/SiO2 laminates with shape-induced magnetic anisotropy. The multilayer films were deposited on Si or upilex substrates, from separate Ni80Fe20 and SiO2 (at %) alloy targets using a rf diode sputtering system. Ni80Fe20/SiO2 laminates with a various number of bilayers (N) were prepared. The laminates with ellipse array patterns were prepared using photolithographic technique. The magnetic properties were measured at room temperature using a B-H hysteresisgraph and a high frequency permeameter. The several steps during domain wall reversal were observed in multilayer films, attributing to inter-magnetic layer coupling. Intrinsic uniaxial anisotropy field increases with N. The experimental values of the total anisotropy field are found to be in good agreement with the calculated values. This study utilized the shape anisotropy of the laminated film objects with small ellipse array patterns to induce a larger uniaxial anisotropy so as to maximize their operating frequency.
더보기본 연구에서는 모양으로 유도된 자기 이방성을 가진 Ni80Fe20/SiO2 laminates 다층막의 자기적 성질을 조사 하였다. 다층막은 rf 다이오드 스퍼터링 시스템을 이용하여 개개의 Ni80Fe20 와 SiO2 (at%) 합금 타겟들로부터 Si 또는 upilex 기판에 적층하였다. 여러 가지 개수(N)의 이중층으로 구성된 Ni80Fe20/SiO2 laminates 가 적층되었다. 사진식각기술을 사용하여 타원형 어레이 패턴을 가진 Ni80Fe20/SiO2 laminates 가 제작 되었다. 자기적 성질은 B-H 히스테리시스 그래프와 고주파 permeameter를 사용하여 상온에서 측정 되었다. 다층막에서 도메인 reversal 시 발견된 몇 개의 스텝들은 자성체 박막 사이에 존재하는 coupling 때문으로 사료된다. 내재하는 intrinsic 일축 자기 이방성 field는 N이 증가하면 증가한다. 전체 자기 이방성 field의 실험값은 계산된 값과 잘 일치 하였다. 본 연구에서는 소형의 타원형 어레이를 가진 다층막의 laminate 구조체를 이용하여 더 큰 일축 자기 이방성을 유도하고 그 결과 laminate의 동작 주파수를 극대화시키고자 하였다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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