KCI등재
옥시불화이트륨 분말의 고상합성 및 플라즈마 스프레이 코팅 적용 = Solid-state synthesis of yttrium oxyfluoride powders and their application to plasma spray coating
저자
이정일 (한국교통대학교) ; 김영주 ((주)대찬테크) ; 채희라 (한국교통대학교) ; 김윤정 (한국교통대학교) ; 박성주 (한국교통대학교) ; 신경선 (한국교통대학교) ; 하태빈 (한국교통대학교) ; 김지현 (한국교통대학교) ; 정구훈 (한국교통대학교) ; 류정호 (한국교통대학교) ; Lee, Jung-Il ; Kim, Young-Ju ; Chae, Hui Ra ; Kim, Yun Jeong ; Park, Seong Ju ; Sin, Gyoung Seon ; Ha, Tae Bin ; Kim, Ji Hyeon ; Jeong, Gu Hun ; Ryu, Jeong Ho 연구자관계분석
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
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2021
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
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276-281(6쪽)
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0
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반도체 회로를 제조하기 위해서 에칭, 세척, 증착 등의 공정들이 반복적으로 진행된다. 따라서 이러한 공정이 진행되면 진공장비 내부는 부식성이 높은 가혹한 플라즈마 환경에 노출되게 된다. 따라서 반도체 공정 장비의 내부를 플라즈마 노출에 강한 재료를 사용하여 코팅층의 에칭과 오염 입자의 생성을 최소화하여야 한다. 본 연구에서는 고상합성법에 의해 Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>와 YF<sub>3</sub> 분말을 원료물질로 옥시불화이트륨(YOF)를 성공적으로 합성하였다. Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>와 YF<sub>3</sub> 분말의 혼합비율은 1.0:1.0에서 1.0:1.6까지 조절하였으며, 혼합비율이 합성된 YOF 분말의 결정구조와 미세구조에 미치는 영향을 XRD와 FE-SEM으로 조사하였다. 합성된 YOF 분말을 이용하여 알루미늄 기판에 플라즈마 스프레이법으로 성공적으로 코팅하였다.
더보기In order to manufacture a semiconductor circuit, etching, cleaning, and deposition processes are repeated. During these processes, the inside of the processing chamber is exposed to corrosive plasma. Therefore, the coating of the inner wall of the semiconductor equipment with a plasma-resistant material has been attempted to minimize the etching of the coating and particle contaminant generation. In this study, we synthesized yttrium oxyfluoride (YOF) powder by a solid-state reaction using Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> and YF<sub>3</sub> as raw materials. Mixing ratio of the Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> and YF<sub>3</sub> was varied from 1.0:1.0 to 1.0:1.6. Effects of the mixing ratio on crystal structure and microstructure of the synthesized YOF powder were investigated using XRD and FE-SEM. The synthesized YOF powder was successfully applied to plasma spray coating process on Al substrate.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2028 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2022-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2019-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2016-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | KCI후보 |
2012-03-29 | 학술지명변경 | 외국어명 : Jounal of Korea Associaiton of Crystal Gorwth -> Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.24 | 0.24 | 0.23 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.2 | 0.17 | 0.244 | 0.09 |
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