SCOPUS
SCIE
One-Dimensional Semiconductor Nanostructure Based Thin-Film Partial Composite Formed by Transfer Implantation for High-Performance Flexible and Printable Electronics at Low Temperature
저자
Moon, Kyeong-Ju ; Lee, Tae-Il ; Choi, Ji-Hyuk ; Jeon, Joohee ; Kang, Youn Hee ; Kar, Jyoti Prakash ; Kang, Jung Han ; Yun, Ilgu ; Myoung, Jae-Min
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2011
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
159-164(6쪽)
제공처
<P>Having high bending stability and effective gate coupling, the one-dimensional semiconductor nanostructures (ODSNs)-based thin-film partial composite was demonstrated, and its feasibility was confirmed through fabricating the Si NW thin-film partial composite on the poly(4-vinylphenol) (PVP) layer, obtaining uniform and high-performance flexible field-effect transistors (FETs). With the thin-film partial composite optimized by controlling the key steps consisting of the two-dimensional random dispersion on the hydrophilic substrate of ODSNs and the pressure-induced transfer implantation of them into the uncured thin dielectric polymer layer, the multinanowire (NW) FET devices were simply fabricated. As the NW density increases, the on-current of NW FETs increases linearly, implying that uniform NW distribution can be obtained with random directions over the entire region of the substrate despite the simplicity of the drop-casting method. The implantation of NWs by mechanical transfer printing onto the PVP layer enhanced the gate coupling and bending stability. As a result, the enhancements of the field-effect mobility and subthreshold swing and the stable device operation up to a 2.5 mm radius bending situation were achieved without an additional top passivation.</P><P><B>Graphic Abstract</B>
<IMG SRC='http://pubs.acs.org/appl/literatum/publisher/achs/journals/content/ancac3/2011/ancac3.2011.5.issue-1/nn102104k/production/images/medium/nn-2010-02104k_0005.gif'></P><P><A href='http://pubs.acs.org/doi/suppl/10.1021/nn102104k'>ACS Electronic Supporting Info</A></P>
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