KCI우수등재
SCOPUS
ECR - PECVD 방법으로 제조한 a-C:H 박막의 결합구조
저자
손영호(Young Ho Son) ; 정우철(Woo Chul Jung) ; 정재인(Jae In Jeong) ; 박노길(No Gill Park) ; 황도원(Do Weon Hwang) ; 김인수(In Soo Kim) ; 배인호(In Ho Bae)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
382-388(7쪽)
제공처
소장기관
ECR-PECVD 방법을 이용하여 ECR power, CH₄/H₂ 가스 혼합비와 유량, 증착시간, negative DC self bias 전압 등을 변화 시켜가면서 수소가 함유된 비정질 탄소 박막을 제조하고, 증착조건에 따른 박막의 결합구조 변화를 FTIR로 분석하였다. a-C:H 박막에 대한 FTlR 스팩트럼의 흡수 peak들은 2800~3000 ㎝-¹ 영역에서 관측되었으며, 대부분 sp³ 결합을 하고있고 일부 sp² 결합구조가 존재함을 알 수 있었다. CH₄/H₂ 가스 혼합비와 유량의 미소 변화는 a-C:H 박막의 탄소와 수소의 결합구조에 큰 영향을 미치지 않았으며, 증착 시간이 증가할수록 탄소와 수소 원자들의 결함구조가 CH₃ 구조로부터 CH₂ 나 CH 구조로 변하고 있음을 확인하였다. 또한, bias 전압을 증가시킬수록 플라즈마에 의한 이온충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소 원자들이 떨어져 나가는 탈수소화 현상도 확인할 수 있었으며, 증착조건에 따른 a-C:H 박막의 결합구조 분석을 토대로 산업에 응용할 수 있는 높은 경도와 밀착성을 갖는 박막을 ECR-PECVD 방법으로 제조할 수 있음을 확인하였다.
더보기Hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) films were fabricated by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition. The bonding structure of carbon and hydrogen in the a-C:H films has been investigated by varying the d ε position conditions such as ECR power, gas composition of methane and hydrogen, deposition time, and negative DC self bias voltage. The bonding characteristics of the a-C:H thin film were analyzed using FTIR spectroscopy. The IR absorption peaks of the film were observed in the range of 2800~3000 cm-¹. The atomic bonding structure of a-C:H film consisted of sp³ and sp² bonding, most of which is composed of sp³ bonding. The structure of the a-C:H films changed from CH₃ bonding to CH₂ or CH bonding as deposition time increased. We also found that the amount of dehydrogenation in a-C:H films was increased as the bias voltage increased.
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