SCI
SCIE
SCOPUS
Electrical Characterization of the Self-Heating Effect in Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors Using Pulse-Based Measurements
저자
Nguyen, Manh-Cuong ; On, Nuri ; Ji, Hyungmin ; Nguyen, An Hoang-Thuy ; Choi, Sujin ; Cheon, Jonggyu ; Yu, Kyoung-Moon ; Cho, Seong-Yong ; Kim, JinHyun ; Kim, Sangwoo ; Jeong, Jaekyeong ; Choi, Rino
발행기관
학술지명
권호사항
-
발행연도
2018
작성언어
-등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
2492-2497(6쪽)
제공처
<P>The self-heating effect (SHE) in top-gate In–Ga–Zn–O (IGZO) thin-film transistors (TFTs) was examined systematically using short electrical pulse measurement methods. The temperature dependence of the pulse measurements of IGZO TFTs revealed a significant increase in temperature during the measurements, suggesting that conventional measurements can overestimate the device performance significantly. The effective temperature was introduced and extracted for IGZO TFTs at various heating powers and ambient temperatures. The short sampling time was determined to be a key in characterizing the intrinsic device properties that are not influenced by the SHE. The cooling behavior after self-heating was also examined using multipulse measurements. Because heating and cooling are significant even in a very short time, it is essential to consider the operation condition of the devices when characterizing TFTs to estimate the precise performance and reliability in a real operation.</P>
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