KCI등재후보
Stacked Chip Package를 위한 Sn-Sn 기계적 접합의 미세구조와 접착강도 = Microstructure and Adhesion Strength of Sn-Sn Mechanical Joints for Stacked Chip Package
저자
김주연 (수원대학교 전자재료공학과) ; 김시중 (수원대학교 전자재료공학과) ; 김연환 (칩트론 기술연구소) ; 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
발행기관
학술지명
마이크로전자 및 패키징학회지(Jornal of the Microelectronics and Packaging Society)
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재후보
자료형태
학술저널
수록면
19-24(6쪽)
제공처
Workstation이나 PC seven옹 메모리칩의 고밀도 실장을 위한 stack chips package (SCP)를 만들기 위해서는 여러 개의 리드프레임이 수직으로 접합되어야 한다. 이를 위하여 Cu리드프레임 위에 전기화학증착법으로 Sn 또는 Sn/Ag를 도금한 후 XRD와 SEM으로 미세구조를 분석하였다. 그리고 두 개의 시편을 $250^{\circ}C$에서 10분간 열처리하고 가압하여 접합한 후 전단강도를 측정하여 비교하였다. Sn만이 도금된 경우, Sn과 Cu리드프레임이 반응하여 $Cu_3Sn$이 생성되었고, Sn/Ag의 경우에는 $Cu_3Sn$외에 Sn과 Ag가 반응하여 $Ag_3Sn$이 형성되었다. 전단강도는 Sn/Ag의 경우가 Sn만이 도금되었을 때보다 약 1.2배 정도 강하였다. 이는 접합면에 형성된 $Ag_3Sn$이 전단강도를 강화시켰기 때문이다.
더보기To make stacked chip packages far high-density packaging of memory chips used in workstations or PC severs, several lead-frames are to be connected vertically. Fer this purpose. Sn or Sn/Ag were electrochemically deposited on Cu lead-frames and their microstructures were examined by XRD and SEM. Then, two specimens were annealed at $250^{\circ}C$ for 10 min. and pressed to be joined. The shear stresses of joined lead-frames were measured fur comparison. In the case of Sn only, $Cu_3Sn$ was formed by the reaction of Sn and Cu lead-frames. In the case of Sn/Ag, besides $Cu_3Sn$. $Ag_3Sn$ was formed by the reaction of Sn and Ag. Compared to joined specimens made from Sn only, those made from Sn/Ag showed 1.2 times higher shear stress. This was attributed to the $Ag_3Sn$ phase formed at the joined interface.
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