KCI우수등재
SCOPUS
펄스 레이저 증착법으로 증착된 MgTiO₃ 박막의 전기적 특성 분석
저자
안순홍(Soonhong Ahn) ; 노용한(Yonghan Roh) ; 이영훈(Younghun Lee) ; 강신충(Shinchung Kang) ; 이재찬(Jaichan Lee)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
249-253(5쪽)
제공처
소장기관
차세대 마이크로파 유전체 소자에 응용하기 위한 MgTiO₃ 박막을 펄스 레이저 증착법(PLD, pulsed laser deposition)을 이용하여 400~500℃에서 비정질 상태로 실리콘 기판 위에 성장시킨 후 전기적 특성을 분석하였다. PLD로 증착된 MgTiO₃ 박막의 전기적 특성은 성장 시 온도에 의존하였다. 즉, 증착 온도가 낮아짐에 따라 MgTiO₃ 박막 내부에 존재하는 이상정전하 결함 밀도가 증가하였으며, 이들 결함과 실리콘 기판과의 전하교환에 의하여 High Frequency(HF) C-V 곡선이 음의 방향으로 이동하는 현상이 관측된 것으로 사료된다. 또한, 증작 온도간 HF C-V 곡선 이동 폭 및 이상정전하 밀도는 ~100Å 두께의 SiO₂ 중간층을 사용할 경우에 현저히 감소함을 확인하였다.
더보기We have analyzed electrical characteristics of the amorphous MgTiO₃ thin films deposited by pulsed laser deposition (PLD) technique with the temperature of 400~500℃. The electrical characteristics of MgTiO₃ films heavily depend on the deposition temperature. We speculate that the density of anomalous positive charge (APC) substantially increases as the deposition temperature lowers, causing the HF C-V curves shift to the direction of the negative gate voltage. We further observed that both the degree of C-V shift as a function of the deposition temperature and the density of APC were minimized by the use of SiO₂ with thickness of approximately 100 Å between MgTiO₃ films and the Si substrate.
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