FET형 습도센서의 제조 및 그 특성 = Fabrication of FET type Humidity Sensors and Their Characteristics
저자
이성필 (경남대학교 전자공학과) ; 윤여경 (경남대학교 전자공학과 박사과정) ; 김성진 (경남대학교 전자공학과)
발행기관
慶南大學校 附設 工業技術硏究所(The Research Institute of Engineering Technology Kyungnam University)
학술지명
권호사항
발행연도
1998
작성언어
Korean
KDC
530.04
자료형태
학술저널
수록면
69-76(8쪽)
제공처
실리콘 마이크로 테크롤로지를 이용하여 MOSFET의 게이트 금속 전극사이에 감습물질인 TiO₂ 박막을 형성하여 MOSFET의 전계효과와 TiO₂박막의 습도감지 특성을 결합시킨 형태의 FET형 습도센서를 제조하고, 습도변화에 따른 감지 특성을 조사하였다. 제조된 HUSFET은 전형적인 enhancement 특성이 나타났으며, 문턱전압은 상대습도 60%에서 약 2.7 V였다. 상대습도가 30%에서 90%로 증가함에 따라 HUSFET의 문턱 전압은 3.0 V에서 2.4 V로 감소하였으며, 드레인 전류는 335μA에서 405μA로 증가하였다. 드레인과 게이트 전압을 고정하였을 때 HUSFET의 감도는 3.2gμA/RH로 나타났다.
A new device, named humidity sensitive field effect transistor(HUSFET), for an integrated humidity sensors has been fabricated using conventional silicon micro-technology. The gate structure of the HUSFETs is TiO₂/Si₃N₄/SiO₂and water molecular permeable electrode is formed by thin porous gold. The fabricated devices showed typical enhancement mode characteristics and threshold voltage was about 2.7 V in 60 %RH. It can be seen that the threshold voltages of HUSFET decreased from 3.0 V to 2.4 V and the drain current increased from 335μA to 405 gμA according to increasing the relative humidities from 30% to 90%. The sensitivity of HUSFET was 3.2μA/RH when the drain and gate voltage are constant.
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