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Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 패시베이션 효과 = Effect of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Surface Passivation by Thermal Oxidation of Aluminum for AlGaN/GaN Structure
저자
김정진 (전북대학교) ; 안호균 (한국전자통신연구원) ; 배성범 (한국전자통신연구원) ; 박영락 (한국전자통신연구원) ; 임종원 (한국전자통신연구원) ; 문재경 (한국전자통신연구원) ; 고상춘 (한국전자통신연구원) ; 심규환 (전북대학교) ; 양전욱 (전북대학교) ; Kim, Jeong-Jin ; Ahn, Ho-Kyun ; Bae, Seong-Bum ; Pak, Young-Rak ; Lim, Jong-Won ; Moon, Jae-Kyung ; Ko, Sang-Chun ; Shim, Kyu-Hwan ; Yang, Jeon-Wook
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2012
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
862-866(5쪽)
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제공처
Surface passivation of AlGaN/GaN heterojunction structure was examined through the thermal oxidation of evaporated Al. The Al-oxide passivation increased channel conductance of two dimensional electron gas (2DEG) on the AlGaN/GaN interface. The sheet resistance of 463 ohm/${\Box}$ for 2DEG channel before $Al_2O_3$ passivation was decreased to 417 ohm/${\Box}$ after passivation. The oxidation of Al induces tensile stress to the AlGaN/GaN structure and the stress seemed to enhance the sheet carrier density of the 2DEG channel. In addition, the $Al_2O_3$ films formed by thermal oxidation of Al suppressed thermal deterioration by the high temperature annealing.
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