냉간가공과 그후의 열처리가 GaAs 단결정의 Degradation 에 미치는 영향
저자
최인훈 (반도체 및 자성재료연구실) ; 민석기 (한국과학기술원 재료공학부 책임연구원) ; 김철우 (고려대학교 대학원)
발행기관
고려대학교 공학기술연구소(Research Institute of Engineering and Technology Korea University)
학술지명
고려대학교 생산기술연구소 생기연논문집(THE INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY KOREA UNIVERSITY)
권호사항
발행연도
1984
작성언어
Korean
KDC
530.000
자료형태
학술저널
수록면
43-51(9쪽)
제공처
The effects of the cold working and subsequent heat treatment on the characteristics of GaAs single crystals were studied in this experiment. When the GaAs wafters with thickness of about 400㎛ were thinned to about 50㎛ by abrading one face with 10㎛ Al₂O₃ abrasive and sequentially annealed at 500℃ for 3 minutes under N₂ gas flow, the carrier concentrations measured at the opposite face were decreased from 5.8×10^(17)㎝^(-3) to 1.5×10^(17)㎝^(-3) and the breakdown voltages were increased to about 30%. Before annealing the abraded wafers, there was no increment in the dislocation density on the opposite face. After annealing the same wafter with 50㎛ under the above condition, the dislocation on the opposite face was increased from 7.4×10³ pits/㎠ to 1.7×10^5 pits/㎠. In a wafer with the dislocation density more than 2× 10⁴ pits/㎠, the carrier concentrations were lower and the breakdown voltages were higher in the position of the higher dislocation density.
It is supposed that the degradation of the crystal was related to the generation of the dislocations during such treatments.
The depth of damaged layer in the (111) face of GaAs wafers due to abrasion with 10㎛ Al₂O₃ abrasive was about 10㎛. There is little difference of the depth of damaged layer between before and after heat treatment.
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