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단채널 GaAs MESFET 및 SOI구조의 Si JFET의 2차원 전계효과에 대한 해석적 모델에 대한 연구 = An analytical modeling for the two-dimensional field effect of?a short channel GaAs MESFET and SOI-structured Si JFET
저자
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
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발행연도
2005
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
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25-32(8쪽)
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In this paper, it is attempted to provide a unified explanation for typical short channel GaAs MESFET's and SOI- structured Si JFET's behaviors such as: i) drain voltage-induced threshold voltage roll-off, ii) finite output ac resistance beyond the saturation, and iii) weak dependence of the drain saturation current on the channel length. Replacing the conventional GCA with a new assumption that is suggested in order to include the longitudinal field variation, and taking into account the channel current continuity and the field-dependent mobility, we can derive the two-dimensional potential in both depletion region and undepleted conducting channel. Obtained expressions for the threshold voltage and the drain current will be considerably accurate over the entire operating region. Moreover, in comparison with the conventional channel length shortening models, our model seems to be more reasonable in explaining the Early effect.
더보기본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET과 SOI-구조의 Si JFET가 갖는 전형적인 특성: i) 드레인 전압 인가에 의한 문턱전압 roll-off, ii) 포화영역에서의 유한한 ac 출력저항, iii) 채널길이에 대한 드레인 포화전류의 의존성 약화, 등을 통합적으로 기술할 수 있는 해석적 모델을 제안하였다. 채널 방향의 전계 변화를 포함하는 새로운 형태의 가정을 기존의 GCA와 대체하고, 채널의 전류 연속성과 전계-의존 이동도를 고려하여, 공핍영역과 전도 채널에서 2차원 전위분포 식을 도출해 내었다. 이 결과, 문턱전압, 드레인 전류의 표현 식들이 동작전압 전 구간의 영역에 걸쳐 비교적 정확하게 도출되었다. 또한 본 모델은 기존의 채널 shortening 모델에 비해 Early 효과에 대한 보다 더 적절한 설명을 제공하고 있음을 보이고 있다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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