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SCOPUS
MOCVD 법으로 성장된 Bi2Te3 및 Sb2Te3 박막의 구조적 특성 = Structural characteristics of Bi2Te3 and Sb2Te3 films on GaAs substrates grown by MOCVD
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2006
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KCI등재,SCOPUS
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463-467(5쪽)
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Bi$_2$Te$_3$ and Sb$_2$Te$_3$ films were grown on (001) GaAs
substrates by using the metal organic chemical vapor deposition
(MOCVD) method. High resolution transmission electron microscopy
(TEM) and X-ray diffraction (XRD) results revealed that the films
had single-crystalline phases with a preferential c-orientation and
with layered structures resulting from the Van der Waals bonding in
these materials. The surface shapes of the Bi$_2$Te$_3$ and the
Sb$_2$Te$_3$ films indicated that these films were grown in a
two-dimensional step-flow growth mode. AFM showed that, contrary to
the Sb$_2$Te$_3$ films, the Bi$_2$Te$_3$ films had a terrace width
distribution, which might be related to the anisotropic growth rate
in the crystal plane. We expect these results for thermoelectric
materials to be applicable to thin-film cooling and power-generating
devices.
Bi$_2$Te$_3$ 및 Sb$_2$Te$_3$ 에피 박막을 trimethylbismuth,
triethylantimony, 및 diisopropyltelluride을 사용하여 유기금속 기상
증착법으로 (001) GaAs 단결정 기판 위에 성장하였다. 성장된 Bi-Te 계
박막은 층상 구조를 이루며 $c$-축 방향으로 배향된 단결정임을
전자현미경 및 X-선 회절 분석결과 확인 할 수 있었다. 2차원의
step-flow 형태로 성장이 일어났음을 박막의 표면형상을 관찰한 결과
확인 할 수 있었다. Bi$_2$Te$_3$ 박막의 경우 Sb$_2$Te$_3$와는 달리
수평방향으로 성장 속도의 이방성이 존재함을 AFM 분석을 통하여
확인하였다. 이러한 열전소재의 제조 공정은 박막형 열전냉각 소자 및
발전소자의 제작에 널리 응용될 수 있을 것으로 기대된다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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