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탄화규소 단결정의 폴리타입 안정화를 위한 종자정 표면특성 연구 = Seed Crystal Surface Properties for Polytype Stability of SiC Crystals Growth
저자
이상일 (동의대학교) ; 박미선 (동의대학교 융합부품공학과) ; 이도형 (동의대학교 융합부품공학과) ; 이희태 (동의대학교 융합부품공학과) ; 배병중 (동의대학교 융합부품공학과) ; 서원선 (한국세라믹기술원 에너지환경소재본부 에너지변환소재팀) ; 이원재 (동의대학교) ; Lee, Sang-Il ; Park, Mi-Seon ; Lee, Doe-Hyung ; Lee, Hee-Tae ; Bae, Byung-Joong ; Seo, Won-Seon ; Lee, Won-Jae
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2013
작성언어
Korean
주제어
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KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
863-866(4쪽)
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SiC crystal ingots were grown on 6H-SiC dual-seed crystals with different surface roughness and different seed orientation by a PVT (Physical Vapor Transport) method. 4H and 15R-SiC were grown on seed crystal with high root-mean-square (rms) value. The polytype of grown crystal on the seed crystal with lower rms value was confirmed to be 6H-SiC. On the other hand, all SiC crystals grown on seed crystals with different seed orientation were proven to be 6H-SiC. The surface roughness of seed crystals had no effect on the crystal structure of the grown crystals. However, the crystal quality of 6H-SiC single crystals grown on the on-axis seed were revealed to be slightly better than that of 6H-SiC crystal grown on the off-axis seed.
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2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
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0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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