KCI등재
SCIE
SCOPUS
Effects of Trapezoidal Fin Shape on Performance of Negative-capacitance FinFETs
저자
Mengjie Zhao (Hangzhou Dianzi University) ; Weifeng Lü (Hangzhou Dianzi University) ; Ziqiang Xie (Hangzhou Dianzi University) ; Mengxue Guo (Hangzhou Dianzi University) ; Mi Lin (Hangzhou Dianzi University)
발행기관
학술지명
Journal of semiconductor technology and science(JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE)
권호사항
발행연도
2022
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
283-290(8쪽)
제공처
In this study, a negative-capacitance fin field effect transistor (NC-FinFET) with a varying trapezoidal fin shape is proposed. The effects of varying the width of the top fin on the performance of the trapezoidal NC-FinFET with different ferroelectric layer thicknesses are investigated in detail. Using the technology computer-aided design simulation, it was determined that the trapezoidal NC-FinFET has lower on- and off-state currents and a higher switching current ratio, as well as a higher threshold voltage, than a traditional rectangular NC-FinFET. Thus, the device demonstrates an improved subthreshold swing and drain-induced barrier lowering. Unlike a conventional trapezoidal FinFET, the variations in the parameter performance for an NC-FinFET exhibit non-uniform trends. This study provides a predictive estimation for trapezoidal fin-induced variations in an NC-FinFET at the early design stage.
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