SCOPUS
SCIE
Substrate Dependent Growth Behaviors of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Nickel Oxide Films for Resistive Switching Application
저자
Song, Seul Ji ; Lee, Sang Woon ; Kim, Gun Hwan ; Seok, Jun Yeong ; Yoon, Kyung Jean ; Yoon, Jung Ho ; Hwang, Cheol Seong ; Gatineau, Julien ; Ko, Changhee
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2012
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
4675-4685(11쪽)
제공처
<P>In this study, NiO thin films were deposited via a plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) on metal (Pt, Ru, and W) substrates using a bis-methylcyclopentadienyl-nickel ([MeCp]<SUB>2</SUB>Ni) precursor followed by a reaction with plasma-enhanced oxygen gas. The ALD temperature regime of NiO films was defined between 150 and 250 °C, while substrate temperature higher than this region induced the thermal cracking of precursors. The saturated PEALD rates of NiO film on Pt, Ru, and W substrates were 0.48, 0.58, and 0.84 Å/cycle, respectively, even though it has been usually regarded that the substrate effect on the saturated ALD rate vanishes after covering the entire surface with the growing films. At the initial stage of film growth, the NiO film showed enhanced nucleation behavior on the W and Ru substrates, whereas it did not show enhanced growth behavior on the Pt substrate. X-ray photoelectron spectroscopy revealed that the surface of a NiO film, which is thick enough for the W substrate not to influence the analysis, contains WO<SUB>3</SUB> bonding states while the films grown on other metal substrates did not show any oxidation states of the substrate metal species. This could be due to the fact that the diatomic bond strength of W–O is stronger than that of Ni–O, which may induce the layer inversion during the ALD of NiO on the W substrate, and the surface W–O promotes the surface chemical reaction. This can result in the eventual increase of the saturated growth rate even in the ALD mode. The supply of oxygen to the adsorbing Ni-precursor by the reduction of a previously oxidized Ru substrate enhanced the initial growth rate of NiO film but this does not affect the steady-state growth rate on the Ru substrate. The small lattice mismatch between the NiO and Pt, as well as the identical crystal structure of the two materials results in the local epitaxial growth of NiO film on Pt substrate even though the growth temperature was only 250 °C. The NiO films on the W substrate showed reliable bipolar resistance switching in a wide temperature range (25–100 °C), which provides new opportunities for the next generation nonvolatile memory applications.</P><P><B>Graphic Abstract</B>
<IMG SRC='http://pubs.acs.org/appl/literatum/publisher/achs/journals/content/cmatex/2012/cmatex.2012.24.issue-24/cm302182s/production/images/medium/cm-2012-02182s_0011.gif'></P>
분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)