KCI등재
SCOPUS
웨이퍼 배치 구조를 갖는 CVD 챔버 내부의 유동 분석
저자
강승환(Seung-Hwan Kang) ; 이재원(Jae Won Lee) ; 고한서(Han Seo Ko) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
35-40(6쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
소장기관
반도체 생산 설비인 CVD 챔버 내부 웨이퍼 사이의 유동을 분석하였다. 검사체적은 튜브 안쪽 공간으로 가정하였고, 수치해석 방법을 통해 2차원 및 3차원의 내부 유동을 계산하였다. 반도체를 만드는 과정에서 웨이퍼 위에 박막의 증착률 및 균일도를 증가시키기 위해 웨이퍼 내부로의 원활한 유동이 필수적이므로, 그 방법으로 편심 웨이퍼 배치 및 기울어진 웨이퍼 배치 구조를 제안하였다. 웨이퍼 배치를 편심시켜 통로 폭의 차이를 만들거나, 웨이퍼를 기울여 웨이퍼 내부의 압력 차이를 형성시켰을 때 일정한 방향으로의 내부 유동을 발생시킬 수 있음을 밝혔다.
더보기Gas flow between wafers inside a tube of a chemical vapor deposition chamber, which is a semiconductor fabrication equipment, was analyzed. A control volume was assumed to be limited in the tube, and the two- and threedimensional internal flows were calculated numerically. To increase the deposition rate and uniformity on the wafer in the process of fabrication of the semiconductor, the active gas flow should be indispensable between the wafers; thus, it is proposed to manufacture both eccentric wafer batch and inclined wafer batch structures. This research shows that the internal gas flow was uniform and unidirectional and its velocity increased when the wafer batch was eccentric for the difference in passage width, and the wafer batch was inclined for the pressure difference within the wafer spacing.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.23 | 0.23 | 0.25 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.22 | 0.19 | 0.552 | 0.03 |
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