KCI등재
SCOPUS
타원편광분광법 및 수소삼출법을 이용한 박막 실리콘의 증착온도 변화에 따른 미세구조 상관관계 연구 = Study on the Correlation of Microstructure with Deposition Temperature of Thin Silicon Films by Using Spectroscopic Ellipsometry and Hydrogen Effusion
저자
김가현 (충북대학교)
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학술지명
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2019
작성언어
Korean
주제어
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KCI등재,SCOPUS
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학술저널
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584-589(6쪽)
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0
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본 연구에서는 타원편광분광법 및 수소삼출법을 이용한 박막 실리콘 재료의 재료물성 분석결과를 다룬다. 비정질 실리콘 계열 박막 실리콘 재료는 결정질 실리콘과 다른 특징적 물성을 보이는데, 대표적으로재료의 밴드갭이 결정질 실리콘의 1.1 eV에 비해 광폭으로 1.7 eV 정도이며, 결정질 실리콘에 비해 높은흡광계수 및 직접천이 반도체와 같은 거동 등이 있다. 타원편광분광분석법은 시편에 조사된 빛의 편광상태변화를 관찰하는 기법으로 재료물성의 관점에서는 간접적인 분석법이다. 이를 재료에 대한 의미있는정보로 변환하기 위해서는 측정결과의 정확한 모델링이 필수적이다. 실리콘 박막의 물성 분석을 위해토크-로렌츠 분산모델(Tauc-Lorentz dispersion model)을 사용하였다. 타원편광분광법을 이용한 박막실리콘 재료의 측정결과를 토크-로렌츠 분산모델을 적용하여 분석하는 방법 및 수소삼출 실험결과와의비교를 통한 분산모델의 적정성 검증에 대한 논의를 다룬다.
더보기We analysed the material properties of thin-film silicon materials by using spectroscopic ellipsometry and hydrogen effusion. Hydrogenated amorphous silicon and the related thin film silicon material showed material properties significantly different from those of crystalline silicon, such as a wider band gap of about 1.7 eV, instead of the 1.1 eV in crystalline silicon, an elevated absorption coefficient, and characteristics of a direct bandgap. From a material point of view, an ellipsometry measurement is an indirect measurement because the result is usually given by a change in the polarization state of the probe light, so the ellipsometry measurement result must be transformed into meaningful parameters by modeling the measurement result. We used Tauc-Lorentz dispersion to model the ellipsometry measurement of the thin silicon film. In this paper, we discuss the modeling of spectroscopic ellipsometry data from thin-film silicon materials and the verification of the modeling result by using data from a complementary hydrogen effusion experiment
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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