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AlN 기반한 선택 성장 HVPE AlGaN LED의 특성 연구 = Characterization of AlN-based Selective Area Growth of a HVPE AlGaN LED
In this paper, we discuss the fabrication of AlN-based selective-area-growth light-emitting diode (SAG-LED) by using the mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method with a multisliding boat system. After the AlN buffer layer had been grown on a sapphire substrate, SAG of a hetero structure consisting of n-AlGaN cladding layer/AlGaN active layer/ p-AlGaN cladding layer/p-GaN capping layer was performed. Each layer of the heterostructure was grown consecutively using a multi-sliding boat system. Field-emission scanning electron microscopy (FESEM) measurements on a cross sections of the device showed that the total thickness was 4.83 μm, and the growth rate was 0.045 μm/min. Electro luminescence measurements showed that the main peak was located at 390 nm and had a full width at half maximum of 40 nm. I-V measurements indicated that the turn-on voltage was 12 V and that the series resistance was 25 . We found that the mixed-source HVPE method with a multi-sliding boat system provided excellent growth of an AlN buffer layer and should be applicable for fabricating a high-performance III-nitride LED as an UV source.
더보기본 논문에서는 AlN층을 가지는 선택성장 AlGaN LED를 multi-slidingboat가 적용된 혼합소스 HVPE를 이용해 제작하였다. 선택성장의다층구조는 전면의 사파이어 기판위에 AlN 층을 성장 시킨 후 다시선택성장 하여 AlN 버퍼층, n-AlGaN 클래드층, AlGaN 활성층, p-AlGaN클래드층, 그리고 p-GaN 캡층을 성장 시켰다. 이는 multi-sliding boat를적용해 연속적으로 성장할 수 있었다. 단면 측정 결과 총 두께는 4.83μm이고 성장률은 0.045 μm/min이었다. EL 측정결과 중심파장은390 nm였고 FWHM은 40 nm로 나타났다. I-V 측정결과 동작전압은 12 V이고시리즈 저항은 25 Ω으로 나타났다. 그 결과 III족 질화물 LED를성장하기 위한 방법으로 혼합소스를 사용한 HVPE를 제안하고 고품질의AlN을 통해 고성능을 가지는 UV-LED소자로의 응용이 가능하리라기대한다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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