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3D MEMS 소자에 적합한 열적 응력을 고려한 수직 접속 구조의 설계 = A design of silicon based vertical interconnect for 3D MEMS devices under the consideration of thermal stress
저자
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2008
작성언어
Korean
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KCI등재
자료형태
학술저널
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112-117(6쪽)
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0
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3D MEMS 소자 또는 적층형 패키지에 응용하기 위해서 실리콘 관통 비아를 이용한 새로운 수직 접속 방법을 제안하고 그 실효성을 증명하기 위해 제작하였다. 제안된 실리콘 관통 비아는 기존의 관통 비아에서 도전 물질로 사용되던 구리대신 실리콘을 적용하였다. 그 결과 열팽창 계수 차이에 의한 열응력 줄일 수 있어 높은 온도에서 이루어지는 MEMS 공정과 병행 가능하게 되었다. 30μm 두께의 실리콘 기판 2층이 적층되었으며 40μm와 50μm의 간격을 가지는 관통 비아 배열을 제작하였다. 관통 비아의 전기적 특성을 측정하고 분석하였다. 측정된 저항 값은 169.9Ω이었다.
더보기Vertical interconnection scheme using novel silicon-through-via for 3D MEMS devices or stacked package is proposed and fabricated to demonstrate its feasibility. The suggested silicon-through-via replaces electroplated copper, which is used as an interconnecting material in conventional through-via, with doped silicon. Adoption of doped silicon instead of metal eliminates thermal-mismatch-induced stress, which can make troubles in high temperature MEMS processes, such as wafer bonding and LP-CVD (low pressure chemical vapor deposition). Two silicon layers of 30μm thickness are stacked on the substrate. The through-via arrays with spacing 40μm and 50μm are fabricated successfully. Electrical characteristics of the through-via are measured and analyzed. The measured resistance of the silicon-through-via is 169.9Ω.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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