SCOPUS
SCIE
Chemically Doped Random Network Carbon Nanotube p–n Junction Diode for Rectifier
저자
Biswas, Chandan ; Lee, Si Young ; Ly, Thuc Hue ; Ghosh, Arunabha ; Dang, Quoc Nguyen ; Lee, Young Hee
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2011
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
9817-9823(7쪽)
제공처
<P>Semiconductors with higher carrier mobility and carrier density are required to fabricate a p–n junction diode for high-speed device operation and high-frequency signal processing. Here, we use a chemically doped semiconducting single-walled carbon nanotube (SWCNT) random network for a field effect transistor (FET) and demonstrate a rectifier operated at a wide range of frequencies by fabricating a p–n junction diode. The p–n diode was fabricated by using a pristine p-type SWCNT-FET where half was covered by SiO<SUB>2</SUB> and the other half was chemically doped by using benzyl viologen molecules, which was converted into an n-type channel. The half-wave rectifier of the random network SWCNT p–n junction diode clearly highlights the device operation under high input signal frequencies up to 10 MHz with very low output distortion, which a commercial silicon p–n junction diode cannot access. These results indicate that the random network SWCNT p–n junction diodes can be used as building blocks of complex circuits in a range of applications in microelectronics, optoelectronics, sensors, and other systems.</P><P><B>Graphic Abstract</B>
<IMG SRC='http://pubs.acs.org/appl/literatum/publisher/achs/journals/content/ancac3/2011/ancac3.2011.5.issue-12/nn203391h/production/images/medium/nn-2011-03391h_0006.gif'></P><P><A href='http://pubs.acs.org/doi/suppl/10.1021/nn203391h'>ACS Electronic Supporting Info</A></P>
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