가변 부성저항을 이용한 새로운 CMOS 뉴럴 오실레이터의 집적회로 설계 및 구현 = Integrated Circuit Design and Implementation of a Novel CMOS Neural Oscillator using Variable Negative Resistor
저자
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SC (System and control)(Journal of the institute of electronics engineers of Korea )
권호사항
발행연도
2003
작성언어
Korean
주제어
등재정보
구)KCI등재(통합)
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
275-281(7쪽)
제공처
0.5㎛ 2중 폴리 CMOS 공정을 이용하여 새로운 뉴럴 오실레이터를 설계, 제작하였다. 제안하는 뉴럴 오실레이터는 트랜스콘덕터 및 캐패시터와 비선형 가변 부성저항으로 이루어진다. 뉴럴 오실레이터의 입력단으로 사용되는 비선형 가변 부성저항은 정귀환의 트랜스콘덕터와 가우시안 분포의 전류전압 특성을 지니는 범프 회로를 이용하여 구현하였다. 또한 SPICE 모의실험을 통하여 제안한 오실레이터의 특성분석 후 집적회로 설계를 실시하였다. 한편 흥분성 및 억제성 시냅스로 연결된 4개의 뉴럴 오실레이터로 간단한 신경회로망을 구성하여 그 특성을 확인하였다. 집적회로로 제작된 뉴럴 오실레이터에 대하여 ± 2.5 V 전원 조건하에서 측정된 결과를 분석하고 모의실험 결과와 비교한다.
더보기A new neural oscillator has been designed and fabricated in an 0.5 ${\mu}{\textrm}{m}$ double poly CMOS technology. The proposed neural oscillator consists of a nonlinear variable resistor with negative resistance as well as simple transconductors and capacitors. The variable negative resistor which is used as a input stage of the oscillator consists of a positive feedback transconductors and a bump circuit with Gaussian-like I-V curve. The proposed neural oscillator has designed in integrated circuit with SPICE simulations. Simulations of a network of 4 oscillators which are connected with excitatory and inhibitory synapses demonstrate cooperative computation. Measurements of the fabricated oscillator chip with a $\pm$ 2.5 V power supply is shown and compared with the simulated results.
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