KCI등재
SCOPUS
SiO2/4H-SiC MOS 구조의 특성 평가에 관한 연구 = A Study for the Characterization of SiO2/4H-SiC MOS Structures
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2006
작성언어
-등재정보
KCI등재,SCOPUS
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
237-243(7쪽)
KCI 피인용횟수
0
제공처
The existence of mobile ions in SiO$_2$ layers of MOS structures is
one of the important sources of electrical instabilities in MOS
devices. The characteristics of charged mobile ions in SiO$_2$
layers of 4H-SiC MOS structures were investigated by using
capacitance-voltage (C-V) and thermally stimulated current (TSC)
measurements. The samples used had Pt/SiO$_2$/4H-SiC MOS capacitors.
Thermal oxidation was used to grow oxide layers on the Si-faces of
single-crystalline 4H-SiC homoepitaxial layers grown by using
thermal chemical vapor deposition. The thickness of the oxide layers
for the gate oxide was about 500 {\AA}, the surface roughnesses of
the oxide layers were 5 $\sim$ 8 {\AA}, and the relative dielectric
constants of the oxide layers were 3.7 to 4.6 $\varepsilon_o$. The
effects of chlorine in the thermally grown oxide layers were
investigated using TCE. The values of QTSC \& QCV in the case of a
dry+TCE oxidation were about 5.0 $\times$ 10$^{11}$ e/cm$^2$ and 3.8
$\times$ 10$^{11}$ e/cm$^2$, respectively. The breakdown fields of
gate oxides, as obtained from current-voltage (I-V) characteristics,
were above 10$^7$ V/cm at room temperature. The behavior of the
mobile ions in the SiO$_2$ layers of SiC-MOS capacitors were found
to be similar to that of the mobileions in the SiO$_2$ layers of
Si-MOS capacitors.
MOS 구조의 소자에서 산화막 내의 이동성 이온의 존재는 소자의 전기적
불안전성의 중요한 요인의 하나이다. 본 연구에서는 Thermal CVD 장치를
사용하여 고품위의 n-type 4H-SiC 동종박막을 성장시킨 후, 열산화막
증착장치를 사용하여 약 500 {\AA} 정도의 게이트 산화막을 증착하고
이의 특성을 분석하였다. 산화막의 표면거칠기는 5 $\sim$ 8
{\AA}정도이었고, SiO$_2$/SiC의 선명한 계면을 확인하였다. 4H-SiC MOS
capacitor를 제작하고 C-V, TSC 및 I-V 특성을 측정하여 열산화막의
유전율, 이동성 산화막전하 밀도 및 절연파괴전계를 구하였다.
Pt/SiO$_2$/4H-SiC (0001) 구조에서 chlorine source를 첨가한 경우에
이동성 산화막전하 밀도가 최대 1/10 이상 감소하는 결과를
나타내었는데, 이러한 결과는 열산화시에 형성되는 이동성 이온에 대하여
chlorine source가 게더링 역할을 해주는 효과가 있음을 의미한다. TCE를
첨가한 건식 산화의 경우에 Q$_{cv}$는 약 3.8 $\times$ 1011
e/cm$^2$이고 Q$_{TSC}$는 5.0 $\times$ 1011 e/cm$^2$이었다. 산화막의
상대 유전상수는 3.7 $\sim$ 4.6의 값으로 분포되어 전반적으로 양호한
산화막이 형성되었음을 확인하였다. 건식 산화한 4H-SiC MOS
capacitor에서의 상온(300 K) 절연파괴전압은 80 V 이상이었고, 이로부터
산화막의 절연파괴전계는 10$^7$ V/cm 이상임을 확인하였다. Negative
바이어스에 대한 내압은 -80 V 이상이었고 누설전류 밀도는 수 ㎁
정도이었다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)