KCI등재후보
SCOPUS
ARUPS 를 이용한 Si(111) - 7 × 7 및 Si(100) - 2 × 1 : 2 domain 표면의 전자 구조 = The Electronic Structures of the Si(111) - 7 ? 7 Surface and the Si(100) - 2 ? 1 : 2 Domain Surface by Using Angle Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy
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2003
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KCI등재후보,SCOPUS
자료형태
학술저널
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327-335(9쪽)
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The electronic structures of the Si(111) - 7 $\times$ 7 and the Si(100) - 2 $\times$ 1 : 2 domain
surfaces were studied by angle resolved ultraviolet photoelectron
spectroscopy(ARUPS) using 21.2 eV or 16.85 eV photons.
Three surface states were identified at -0.2 eV(S$_1$), -0.8 eV(S$_2$) and -1.8
eV(S$_3$) below the Fermi level from the spectra measured along
$\bar \Gamma$ - $\bar {\rm M}$ and $\bar \Gamma$ - $\bar {\rm K}$
symmetry directions in the surface Brillouin zone(SBZ) of the Si(111) - 7 $\times$ 7
surface and only the S$_3$ state had a weak dispersion.
Two weak features originated from the direct transition
in the bulk valence band appeared at about -2 eV $\sim$ -5 eV below the Fermi level .
A strong surface state was observed at about -0.5 eV below the Fermi level in the photoemission spectrum
taken from the $\bar \Gamma$ symmetry point of the SBZ of the Si(100) - 2 $\times$ 1 surface.
Four surface states at about -0.8 eV, -1.3 eV, -1.8 eV and -3.3 eV
below the Fermi level were observed in the spectra taken from the $\bar {\rm J}$$'_{a,b}$
symmetry point of the SBZ of the Si(100) - 2 $\times$ 1 surface.
The state at -1.3 eV had a dispersion and the band width was
about 0.8 eV. The surface state at -1.8 eV and the surface resonance state at -3.3 eV also had
weak dispersions but the state at -0.8 eV had no dispersion.
Peaks observed at about -0.7 eV and -1.3 eV below the Fermi
level measured at the $\bar {\rm J}$$'_a$ and the $\bar {\rm J}$$'_b$
symmetry points were the same states of -0.8 eV and -1.3 eV measured at $\bar {\rm J}$$'_{a,b}$
point.
초고진공에서 깨끗한 Si(111) - 7 $\times$ 7 표면과 Si(100) - 2 $\times$ 1 : 2 domain 표면을 준비한 다음 21.2 eV 및 16.85 eV의
photon을 입사시켜 방출되는 광전자의 각분해 스펙트럼을 측정하였다.
Si(111) - 7 $\times$ 7 표면 surface Brillouin zone(SBZ)의 $\bar \Gamma$ - $\bar {\rm M}$과 $\bar \Gamma$ - $\bar {\rm K}$
대칭 방향으로 측정한 스펙트럼에서 S$_1$(-0.2 eV), S$_2$(-0.8 eV), S$_3$(-1.8 eV)의 세 표면 상태를
확인하였으며, 그 중에서 S$_3$ 상태는 약한 분산을 나타내었다. 또한 약 -2 eV $\sim$ -5 eV 영역에서는
bulk 상태에서 직접 전이에 의한 두 개의 피이크를 확인하였다.
Si(100) - 2 $\times$ 1 표면 SBZ의 $\bar \Gamma$ 대칭점에서 Fermi 에너지 아래 약 -0.5 eV에 표면 상태가 나타났고,
$\bar {\rm J}$$'_{a,b}$
대칭점에 대해서는 약 -0.8 eV, -1.3 eV, -1.8 eV와 -3.3 eV에서 표면 상태에 의한 피이크가 나타났다.
-0.8 eV의 표면상태는 거의 분산이 없었으며 -1.3 eV의 상태는 분산이 있었고 띠폭은 약 0.8 eV였다.
-1.8 eV와 -3.3 eV의 표면 resonance에서도 약한 분산이 있었다. $\bar {\rm J}$$'_a$ 대칭점과
$\bar {\rm J}$$'_b$ 대칭점에서 -0.7 eV와 -1.3 eV에서 측정된 피이크들은 $\bar {\rm J}$$'_{a,b}$ 대칭점의 -0.8 eV와
-1.3 eV에서 나타난 상태와 동일하였다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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