SCOPUS
KCI등재
선택적 LPE방법에 의한 GaAs가판 상의 InP이종접합 박막의 성장 = Growth of Heteroepitaxial InP/GaAs by selective liquid phase epitaxy
저자
이병택 ; 안주헌 ; 김동근 ; 안병찬 ; 남산 ; 조경익 ; 박인식 ; 장성주 ; Lee, Byung-Teak ; An, Ju-Heon ; Kim, Dong-Keun ; Ahn, Byung-Chan ; Nahm, Sahn ; Cho, Kyoung-Ik ; Park, In-Shik ; Jang, Seong-Joo
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1994
작성언어
Korean
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
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수록면
687-694(8쪽)
제공처
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Heteroepitaxial InP/GaAs layers were grown using the selective liquid phase epitaxy (SLPE) technique. It was observed that the optimum LPE conditions were $660^{\circ}C$ growth temperature, $5^{\circ}C$ supercooling, and $0.4^{\circ}C$/min cooling rate. Maximum expitaxial layer overgrowth (ELO) of 110-160$\mu \textrm{m}$ was obtained when the seed was aligned along (112) orientation. Initial melt-back of the substrate was observed but limited to the seed region so that flat In-Ga-As-P layers were grpwn throughout the GaAs substrates. The InP/GaAs heteroepitaxial structure could be obtained by growing an additional InP layer on top of the In-Ga-As-P layer.
더보기선택적 LPE방법을 이용하여 (111)B GaAs 기판 상에 InP연속 박막을 성장하고 그 특성을 평가하였다. 적정 LPE성장조건으로 성장온도 $660^{\circ}C$, 과냉도 $5^{\circ}C$, 냉각속도 $0.4^{\circ}C$/min였으며, 연구된 온도 범위에서 성장온도가 증가할수록 표면형상이 개선되었고 ELO의 넓이가 증가하였다. Seed방향이 <112>방향에서 110-160$\mu \textrm{m}$ 정도의 최대 ELO 넓이가 얻어졌으며 60-80$\mu \textrm{m}$정도의 마스크 간격에서 연속박막을 용이하게 성장할 수 있었다. LPE 성장초기에 기판 용해 현상이 발생하였으며 이에 따라 성장박막의 조성이 대략 $In_{0.85}Ga_{0.15}$As$_{0.01}P{0.99}$으로 변화하고 InP/GaAs계면 및 박막 표면형상이 거칠어졌으나 기판의 성장 부위가 제한됨에 따라 통상적인 LPE박막에 비교하여 매우 개선된 표면형상을 얻을 수 있었다. 두개의 성장융액을 이용하여 1차 박막성장 후 다시 InP 박막을 성장하는 2단성장 방법을 사용하여 순수한 InP/GaAs박막을 성장할 수 있었으며 단면 TEM분석 결과 SLPE성장박막으로 전파하는 활주전위는 산화막 마스크에 의해 효과적으로 차단됨을 알 수 있었다.
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