KCI등재
SCOPUS
SCIE
Elimination of endurance degradation by oxygen annealing in bilayer ZnO/CeO2-x thin films for nonvolatile resistive memory
저자
Muhammad Ismail (Sun Yat-Sen University) ; Shazia Jabeen (Bahauddin Zakariya University) ; Tahira Akber (Bahauddin Zakariya University) ; Ijaz Talib (Bahauddin Zakariya University) ; Fayyaz Hussain (Bahauddin Zakariya University) ; Anwar Manzoor Rana (Bahauddin Zakariya University) ; Muhammad Hussain (University of Okara) ; Khalid Mahmood (Bahauddin Zakariya University) ; Ejaz Ahmed (Bahauddin Zakariya University) ; Dinghua Bao (Sun Yat-Sen University) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
924-932(9쪽)
KCI 피인용횟수
4
제공처
Effect of oxygen annealing on bipolar resistive switching (BRS) properties of TiN/ZnO/CeO2-x/Pt devices was investigated. Bilayer ZnO/CeO2-x thin films were fabricated by rf-magnetron sputtering. It was observed that the improvement in cycle-to-cycle endurance degradation and uniformity of the bilayer ZnO/CeO2-x thin film is optimum at 400 °C annealing temperature due to decrease in oxygen vacancies during annealing, as confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy. The BRS could be caused by the formation of interfacial TiON layer, which is most likely to be accountable for creating an adequate quantity of oxygen vacancies necessary for the formation and rupture of conductive filaments. Smaller Gibbs free energy of the formation of interfacial TiON (−611 kJmol−1) layer as compared to bilayer film ZnO (−650 kJmol−1) and CeO2 (−1024 kJmol−1) results in an easier re-oxidation of the filaments through the oxygen exchange with TiN top electrode. The analysis of current– voltage characteristics shows that the charge transport mechanism is Schottky emission. Moreover, the temperature dependence of high resistance state (HRS) and low resistance state (LRS) revealed the physical origin of the RS mechanism, which entails the oxygen vacancies for the formation and rupture of conducting paths.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 1.8 | 0.18 | 1.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.92 | 0.77 | 0.297 | 0.1 |
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