Cs이 흡착된 Si(111)7×7표면에 대한 RHEED연구 = RHEED Study of Cs-adsorbed Si(111)7×7 Surface
Cesium-adsorbed surface structures on Si(111)7×7 were investigated at room and high temperatures(200∼700℃) by RHEED. The RHEED patterns of Si(111) 7×7 was changed to the modified 7×7 and the 1×1 patterns with increasing the deposition times of Cs at RT. It was observed that the structure of the Cs-adsorbed Si (111) 7×7 surface at saturation coverage is the 1×1 structure at RT.
The ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 1 and 1×1 structures appeared successively at the adsorption temperature of 300℃, 350∼400℃ and 450℃, respectively.
After subsequent heating of 1×1 surface above 550℃ and of ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) surface above 600℃, each RHEED pattern gradually returned to the original Si(111)7×7 pattern.
상온 및 200∼700℃의 Si(111)7×7 표면에 Cs(Cesium)을 증착하였을 때 표면격자구조의 변화를 RHEED로 관측하였다. Cs 증착시 Si(111)7×7 기판의 온도가 상온인 경우, 포화 덮임률에 도달했다고 추정되는 일정 증착시간 전에는 원래의 깨끗한 Si(111)7×7 패턴과 거의 유사한 변형된(modified) Si(111)7×7-Cs 패턴이 관측되었다. 그후 포화 덮임률에서는 1×1패턴이 관측되고 증착량을 증가시켜도 패턴의 변화는 관측되지 않았다. 이 구조를 다시 annealing시키면 약 550℃부터 서서히 원래의 7×7구조로 되돌아가기 시작한다.
Si(111)7×7기판의 온도를 220∼700℃로 유지하면서 Cs을 증착시킨 경우에 약 250℃까지는 상온에서와 비슷한 변형된(modified) 7×7이 관측되고 약 300℃에서는 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 350∼400℃ 정도에서는 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요)과 3×1이 겹쳐셔 관측되었다. 그리고 450℃ 이상에서는 1×1구조가 관측되었다. 이때 약 300℃에서 형성된 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 350℃에서 형성된 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 3+3×1 구조는 약 500℃ 정도까지 다시 annealing함에 따라 다리 1×1구조로 상전이가 일어난후, 약 600℃부터 원래의 7×7의 초격자점들이 나타나기 시작했다.
이들 결과로부터 Si(111)7×7 표면에 Cs을 증착하는 경우에는 일정한 포화 덮임률(saturation coverage)이 있는 것으로 추정되고, 이 덮임률에서 관측된 고온에서의 상전이는 증착량(증착시간)에는 무관하고 온도에만 의존함을 알 수 있었다. 또한 1×1 구조와 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 구조에 대하여 Cs의 탈착은 각각 약 550℃와 600℃에서 일어나기 시작하여 700℃에서 완전히 탈착됨을 알 수 있었다.
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