KCI우수등재
SCOPUS
재 프로그래밍 방법에 의한 MIM ANTIFUSE의 온저항 감소 효과
저자
임원택(Won Taeg Lim) ; 이상기(Sang Gi Lee) ; 김용주(Yong Ju Kim) ; 이창효(Chang Hyo Lee) ; 권오경(Oh Kyong Kwon)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
194-199(6쪽)
제공처
소장기관
Al/a-Si:H/Mo 구조의 MIM(Metal-Insulator-Metal) antifuse를 제작하여 antifuse의 I-V 특성을 조사하고, 온저항의 분포를 구하였다. 제작된 antifuse의 누설전류는 1 ㎀/㎛² 이하였고, 프로그래밍 전압은 10~11 V 내에 분포하였다. 프로그램 후 온저항은 대부분 10~20Ω 이었고, 20% 정도는 100Ω 이상의 분포도를 보였다. 이러한 온저항 분포의 편차와 저항값을 줄이기 위해 이미 프로그램된 antifuse에 다시 전류를 주입하는 재 프로그래밍 방법을 시도하였다. 이 방법을 통하여 100Ω 이상의 온저항을 가지는 antifuse를 다시 50Ω 이하로 낮출 수 있었다. 재 프로그래밍 방법을 사용한 antifuse는 한번만 프로그래밍 했을 때 보다 더욱 더 균일하고 낮은 온저항 분포를 가졌다.
더보기We fabricated MIM (Metal-Insulator-Metal) antifuses with Al/a-Si/Mo structure and then examined the I-V characteristics and on-state resistance distribution of antifuses. The leakage current of antifuses is below 1 ㎀/㎛², and programming voltage lies within 10 to 11 V. After programming, onresistance of antifuses is mostly 10-20Ω and 20% of these have above 100Ω. In order to reduce onresistance and the deviation of this distribution, we tried to inject current again into already programed antifuses (we call this the re-programming method). From this method, the resistance of antifuses with above 100Ω can be reduced to below 50Ω. When antifuses are programmed by re-programming method, these antifuses have more uniform and lower on-resistance than programed with one-pulse.
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