KCI우수등재
심층신경망을 이용한 3D Vertical SONOS NAND Flash의 Grain Boundary Distribution과 Geometrical Variation에 의한 전기적 특성 변동 분석 = Deep Learning Approach for Electrical Characteristics Analysis of 3D Vertical SONOS NAND FLASH by Grain Boundary Distribution and Geometrical Variation
Planar 형태의 NAND Flash memory의 Scaling down의 한계로 3D Vertical Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) NAND가 개발되었다. 3D Vertical SONOS NAND로 한정된 크기의 wafer에서 많은 transistor를 적층하여 planar type보다 더 많은 memory capacity를 확보할 수 있다. 하지만 vertical 구조로 변경되면서 공정 난이도 상승과 함께 공정에 소모되는 비용이 증가했다. 그래서 공정에 투입되는 비용을 줄이고 소자의 전기적 특성을 빠르고 정확하게 예측하는 기술의 필요성이 대두되었다. 본 논문에서는 TCAD simulation과 딥러닝을 통해 3D Vertical SONOS NAND의 polysilicon grain boundary distribution (Max-angle, Ycut, Xseed, Yseed, Aseed)과 geometrical variation (Width, Lcg)에 따른 전기적 특성 (Vtgm, Vti) 변동을 예측하고 분석했다. TCAD simulation 결과값을 바탕으로 학습한 딥러닝을 통해 전기적 특성을 예측했고 매우 높은 수치의 R2 score (Vtgm R2 score = 0.997, Vti R2 score = 0.999)로 TCAD simulation 결과값에 수렴한다는 것을 알 수 있다. 또한 SHapley Additive exPlanations (SHAP) value를 통해 input parameter의 중요도를 평가한 결과 Ycut과 Xseed parameter가 전기적 특성 변동에 가장 많은 영향을 준 것을 확인했다.
더보기3D Vertical Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) NAND was developed as a solution to the scaling down of planar-type NAND Flash memory. With 3D Vertical SONOS NAND, it is possible to stack many transistors on a limited-size wafer to secure more memory capacity than the planar type. However, with the change to the vertical structure, the cost of the process has increased along with the increase in process difficulty. Therefore, there is a need for a technology that reduces the process's cost and predicts the device's electrical characteristics quickly and accurately. In this paper, we used TCAD simulation and deep learning to predict and analyze the variation of electrical characteristics (Vtgm and Vti) of 3D Vertical SONOS NAND due to polysilicon grain boundary distribution (Max-angle, Ycut, Xseed, Yseed, Aseed) and geometrical variation (Width, Lcg). The electrical characteristics were predicted using deep learning trained based on TCAD simulation results and converged to TCAD simulation results with very high R2 scores (Vtgm R2 score = 0.997, Vti R2 score = 0.999). We also evaluated the importance of the input parameters through the SHapley Additive exPlanations (SHAP) value. We found that the Ycut and Xseed had the most influence on the variation of electrical characteristics.
더보기분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)