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As2Se3 기반 Resistive Random Access Memory의 채널 직선화를 통한 신뢰성 향상 = Improving the Reliability by Straight Channel of As2Se3-based Resistive Random Access Memory
저자
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학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
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2016
작성언어
Korean
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KCI등재
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학술저널
수록면
327-331(5쪽)
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Resistive random access memory (ReRAM) of metallic conduction channel mechanism is based on the electrochemical control of metal in solid electrolyte thin film. Amorphous chalcogenide materials have the solid electrolyte characteristic and optical reactivity at the same time. The optical reactivity has been used to improve the memory switching characteristics of the amorphous As2Se3-based ReRAM. This study focuses on the formation of holographic lattices patterns in the amorphous As2Se3 thin film for straight conductive channel. The optical parameters of amorphous As2Se3 thin film which is a refractive index and extinction coefficient was taken by n&k thin film analyzer. He-Cd laser (wavelength: 325 nm) was selected based on these basic optical parameters. The straighten conduction channel was formed by holographic lithography method using He-Cd laser. Ag+ ions that photo-diffused periodically by holographic lithography method will be the role of straight channel patterns. The fabricated ReRAM operated more less voltage and indicated better reliability.
더보기금속성 전도경로 메커니즘의 ReRAM은 고체전해질 박막 내부에 금속의 전기화학적 조절에 기인한다. 비정질 칼코게나이드 재료는 고체전해질 특성과 광학적 반응성을 함께 가진다. 비정질 As2Se3 기반 ReRAM의 메모리 특성을 향상시키기 위해 광학적 반응성을 이용하였다. 본 연구는 전도경로의 직선화를 위해 비정질 As2Se3 박막에 홀로그래픽 격자 모양의 패턴을 형성하는 것에 초점이 맞춰져 있다. 굴절률, 흡수계수와 같은 광학적 파라미터들은 n&k 박막 분석장치를 이용해 얻었으며, 이런 기본적 광학 파라미터를 근거로 He-Cd 레이저 (파장 : 325 nm)를 선택하였다. 금속성 채널 패턴은 He-Cd 레이저를 이용한 홀로그래픽 리쏘그래피 방법에 의해 형성되었다. 홀로그래픽 리쏘그래피 방법에 의해 주기적으로 광확산된 Ag+ 이온들은 직선 채널 패턴의 역할을 하게 될 것이다. 제작된 ReRAM은 동작 전압의 감소와 보다 좋은 신뢰성을 확인할 수 있었다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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