KCI등재
AuGe 액체금속 이온이 주입된 n-GaAs의 물성연구 = Physical Properties of AuGe Liquid Metal Ion Implanted n-GaAs
저자
강태원 ; 이정주 ; 김송강 ; 홍치유 ; 임재영 ; 정관수 ; Kang, Tae-Won ; Lee, Jeung-Ju ; Kim, Song-Gang ; Hong, Chi-Yhou ; Leem, Jae-Young ; Chung, Kwan-Soo
발행기관
학술지명
전자공학회논문지(Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers )
권호사항
-
발행연도
1989
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
63-70(8쪽)
제공처
액체금속이온원으로 부터 발생한 AuGe 이온빔을 GaAs기판에 주입시킨 후 이 시료의 표면성분과 구조를 AES(Auger electron spectroscopy), RHEED(reflection high energy electron diffraction), SEM(scanning electron microscopy) and EPMA(electron probe microanalysis)등으로 조사하였으며 AES depth profile 실험결과를 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation과 비교하였다. AuGe 이온이 주입된 시료를 AES, EPMA로 측정한 결과 As의 preferential스피터링이 나타났으며 300$^{circ}$C로 열처리하면 Ga과 outdiffusion되었다. 또한 측정한 Au와 Ge의 depth profile은 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation의 결과와 잘 일치하였다.
더보기The ion beam extracted from the AuGe liquid metal ion source was implanted into GaAs substrate. The surface composition and the structure of ion implanted samples were investigated by AES, RHEED, SEM and EPMA. The depth profiles measured by AES were compared with the results of Monte Carlo simulation based on the two-body collision. As the results of AuGe ion implantation the preferential sputtering of As were revealed by AES and EPMA, and the outdiffusion of Ga and Ge was investigated by 300$^{circ}C$ annealing. The Au and Ge depth profiles measured by AES agreed with the results of Monte Carlo simulation based on the two-body collision.
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