KCI등재
SCOPUS
DC/DC 강압컨버터용 MOSFET의 TID 및 SEGR 실험
저자
발행기관
학술지명
韓國航空宇宙學會誌(Journal of the Korean Society for Aeronautical and Space Sciences)
권호사항
발행연도
2014
작성언어
Korean
주제어
KDC
558
등재정보
KCI등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
981-987(7쪽)
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0
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소장기관
DC/DC 컨버터는 임의의 직류전원을 부하가 요구하는 형태의 직류전원으로 변환시키는 효율이 높은 전력변환기이다. DC/DC 컨버터는 MOSFET(산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터), PWM-IC(펄스폭 변조 집적회로) 제어기, 인덕터, 콘덴서 등으로 구성되어있다. MOSFET는 스위치 기능을 수행하는데 코발트 60 (60Co) 저준위 감마발생기를 이용한 TID 실험에서 방사선의 영향으로 문턱전압과 항복전압의 변화와 SEGR 실험에 적용된 5종류의 중이온 입자는 MOSFET의 게이트(gate)에 영향을 주어 게이트가 파괴된다. MOSFET의 TID 실험은 40 Krad 까지 수행하였으며, SEGR 실험은 제어보드를 구현한 후 LET(MeV/mg/㎠)별 cross section(㎠)을 연구하는데 있다.
더보기DC/DC switching power converters are commonly used to generate a regulated DC output voltage with high efficiency. The DC/DC converter is composed of a MOSFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor), a PWM-IC (pulse width modulation-integrated circuit) controller, inductor, capacitor, etc. It is shown that the variation of threshold voltage and the breakdown voltage in the electrical characteristics of MOSFET occurs by radiation effects in TID (Total Ionizing Dose) testing at the low energy γ rays using 60Co, and 5 heavy ions make the gate of MOSFET broken in SEGR (Single Event Gate Rupture) testing. TID testing on MOSFET is accomplished up to the total dose of 40 krad, and the cross section(㎠) versus LET(MeV/mg/㎠) in the MOSFET operation is studied at SEGR testing after implementation of the controller board.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.28 | 0.28 | 0.27 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.25 | 0.22 | 0.421 | 0.09 |
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