KCI등재
AlGaN/InGaN HEMTs의 고성능 초고주파 전류 특성 = DC and RF Characteristics of AlGaN/InGaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted MBE
저자
이종욱 (경희대학교)
발행기관
학술지명
한국전자파학회논문지(The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
권호사항
발행연도
2004
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
752-758(7쪽)
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0
제공처
소장기관
본 논문에서는 MBE로 성장한 AlGaN/InGaN/GaN 에피층으로 제작된 GaN HEMTs의 특성을 분석하였다. 게이트 전극 길이가 0.5 $\mu$m로 제작된 소자는 비교적 평탄한 전류 전달 특성을 나타내었으며 최대 전류 880 mA/mm, 최대 전달정수 156 mS/mm, 그리고 $f_{r}$와 $f_{MAX}$는 각각 17.3 GHz와 28.7 GHz가 측정되었다. 또한 표면 처리되지 않은 AlGaN/InGaN/HEMT의 경우 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 펄스 전류 동작 상태에서 전류 와해 현상(current collapse)이 발생하지 않음이 확인되었다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 사용할 경우 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 현상이 발생하지 않는 고성능, 고출력의 GaN HEMT를 제작할 수 있음을 보여준다....
더보기This paper reports on the DC and RF characteristics of AlGaN/InGaN/GaN high electron-mobility transistors (HEMTs) grown by molecular beau epitaxy(MBE) on sapphire substrates. The devices with a 0.5 ${\mu}$m gate-length exhibited relatively flat transconductance(g$\_$m/), which results from the enhanced carrier confinement of the InGaN channel. The maximum drain current was 880 mA/mm with a peak g$\_$m/ of 156 mS/mm, an f$\_$T/ of 17.3 GHz, and an f$\_$MAX/ or 28.7 GHz. In addition to promising DC and RF results, pulsed I-V and current-switching measurements showed little dispersion in the unpassivated AlGaN/InGaN HEMTs. These results suggest that the addition of In to the GaN channel improves the electron transport characteristics as well as suppressing current collapse that is related to the surface trap states.
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2008-04-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science | KCI등재 |
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2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
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2016 | 0.2 | 0.2 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
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