KCI등재
SCOPUS
구리 (111) 박막의 급속 열처리 산화로 얻은 고품질 Cu2O (111) 박막 = Fabrication of Epitaxial Cu2O (111) Films from Cu(111) thin Films by Rapid Thermal Oxidation
최근 들어 2.1 eV에서 2.7 eV의 가시광선 영역에서 에너지 간격을 가지고 있어 빛의 흡수도가 높고지구상에 풍부한 구리를 기반으로 하며 독성 또한 가지고 있지 않아 태양광 발전, 광촉매 반응, 물의 광분해, 비선형 광학, 가스 검출 등의 여러 분야에서 집중을 받고 있는 제일 산화구리 Cu2O 박막을 얻고자 하는연구가 많이 진행되고 있다. 본 연구에서는 비교적 간단한 방법인 Cu(111) 박막의 고온 열처리를 통하여높은 결정성을 가지는 Cu2O (111) 박막을 성장하는 연구를 진행하였다. 성장된Cu2O (111) 박막의 XRD 와 SEM, UV-Vis spectroscopy 측정을 통하여 아르곤 분위기 하에 800 ◦C의 온도에서 30 분 열처리한경우 높은 결정성을 가지는 것을 확인하였다, 또한 흡광계수 를 통하여 상온에서 Cu2O (111) 박막의청색 (blue)과 남색 (indigo) 에너지 간격을 얻을 수 있었으며 이것 또한 Cu2O (111) 박막이 높은 결정성을 가지기 때문에 가능하였으며 얻은 값들은 bulk Cu2O구조로부터 얻어진 이론적인 값과 잘 일치하였다.
더보기Due to the energy gaps of copper from 2.1 to 2.7 eV, its high light absorption, its nontoxicity and its abundance on the earth, Cu2O is an attractive material for use in various areas such as photovoltaic power generation, photocatalytic reactions, water photolysis, nonlinear optics, and gas sensing. Many researches efforts are being conducted to obtain high-quality Cu2O thin films. In this study, high-quality, epitaxial Cu2O (111) thin films were obtained via a relatively simple method, rapid thermal processes at high temperature of RF sputtered Cu (111) thin film on a sapphire substrate. XRD, SEM and UV-Vis spectroscopy measurements confirmed the high crystallinity of the Cu2O (111) thin film oxidized for 30 minutes at a temperature of 800 ◦C under an atmosphere of argon with 3 ppm of oxygen. Also, because of the high crystal-quality of the Cu2O (111) thin films, blue and indigo energy gaps at room temperature were obtained from the absorption coefficient . The obtained energy band gaps are consistent with the theoretical values obtained from Cu2O bulk structures.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)