KCI우수등재
SCOPUS
As이온이 주입된 Si의 구조적 특성 연구
저자
문영희(Y.H. Mun) ; 배인호(I.H. Bae) ; 김말문(M.M.Kim) ; 한병국(B.K. Han) ; 김창수(C.S. Kim) ; 홍승수(S.S. Hong) ; 신용현(Y.H. Sin) ; 정광화(K.H. Chung)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1996
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
218-222(5쪽)
제공처
소장기관
(100) Si 웨이퍼에 고농도의 As이온을 주입한 후 여러가지 열적 어닐링 처리를 하였을 때 이온 주입층 내부에 나타나는 격자변형층(strained layer)과 깊이 방향의 변형률 분포(strain depth distribution)를 X-ray 로킹 커브 측정과 로킹커브 시뮬레이션(simulation)을 통하여 살펴 보았다. 어닐링 처리전의 비정질/결정질층 계변인 약 1400Å 깊이에서 일정한 두께의 결함층이 형성되어 있다는 것을 알 수가 있었다. 그리고 As 농도분포 및 총 결함 분포(net defect distribution)를 각각 SIMS와 TRIM code를 이용하여 구하였다. 600℃ 열처리한 시료에서 로킹커브 분석에 의해 나타난 positive 변형은 오직 0.14 ㎛ 하단에서 나타나고 있었다. 이것은 본 실험의 이온주입 조건에서 생성되는 비정질 층의 두께가 0.14 ㎛ 임을 간접적으로 보여주고 있는 것이며, TRIM-Code로부터 분석된 결과와 잘 일치하고 있었다. 또한 로킹커브의 분석에 의해 나타나는 positive 변형의 원인은 이온 주업에 의해 형성된 비정질/단결정 계면(amorphous/crystalline interface) 하단의 잉여 interstitial에 의한 영향이라 판단된다.
더보기Strained layers and strain depth profile of high dose As ion implanted (100) Si wafer annealed at various temperatures have been investigated by means of X-ray double crystal diffractometry (X-ray DCD). The results obtained by x-ray rocking curve analysis showed a defect layer at the original amorphous/ crystalline interface of 1400Å depth. In addition arsenic ion concentration profiles and defect distributions in depth were obtained by the SIMS and TRIM-code simulation. The positive strain depth profile determined from the rocking curve analysis were only presented under 0.14 ㎛ from the surface for samples annealed at 600℃. The result was shown that the thickness of amorphous layer is 0.14 ㎛ indirectry, and it was good agreement with the TRIM-Code simulation. Additionally, it could be thought that the positive strain have been affected residual interstitial atoms under the amorphous/crystalline interface formed by ion implantation.
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