KCI등재
$8^{\circ}$-off (100) Si 기판위의 반극성을 가지는 (1-101) InGaN/GaN 다중양자우물 구조의 MOVPE 성장 = Growth of semi-polar (1-101) InGaN/GaN MQW structures on $8^{\circ}$ off -axis (100) patterned Si substrate by MOVPE
저자
Han, Y.H. ; Jean, H.S. ; Hong, S.H. ; Kim, E.J. ; Lee, A.R. ; Kim, K.H. ; Ahn, H.S. ; Yang, M. ; Tanikawa, T. ; Honda, Y. ; Yamaguchi, M. ; Sawaki, N.
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
발행연도
2009
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
1-5(5쪽)
제공처
소장기관
본 연구에서는 metal organic vapor phase epitaxy(MOVPF) 방법으로 $8^{\circ}$-off (100) Si 기판 위에 분극이 완화된(1-101) GaN를 성장한 후 광소자로서의 가능성을 확인하고자 (1-101) GaN 위에 InGaN/GaN MQW 구조를 제작하였으며 암모니아 유량, TMI 유랑 그리고 성장 온도 등 다양한 성장 조건에 따른 구조적, 광학적인 특성을 scanning electron microscopy(SEM)와 cathodoluminescence(CL)을 통하여 관찰하였다. (1-101) GaN 성장시 암모니아 유량이 적을수록 관통전위가 현저히 줄어드는 것을 확인하였다. (1-101) GaN stripe 위에 성장 시킨 InGaN/GaN MQW 구조를 이용하여 성장조건에 따라서 391.5nm부터 541.2nm에 이르는 넓은 영역의 범위에서 발광 스펙트럼을 조절할 수 있음을 확인하였다.
더보기In this study, we performed growth of InGaN/GaN multi quantum well (MQW) structures on semi-polar (1-10]) GaN facet on 8-degree off oriented stripe patterned (100) Si substratcs by MOVPE. The structural and optical properties of the InGaN/GaN multi quantum well (MQW) structures grown on (1-101) GaN stripe depend on $NH_3$ flow rate, TMI flow rate and growth temperature are characterized by cathodoluminescence (CL) and scanning electron microscopy (SEM). With the decrease of $NH_3$ flow rate, the threading dislocation of (1-101) GaN is considerably reduced. We could control the transition wavelength of InGaN/GaN MQW structures from 391.5 nm to 541.2 nm depend on the growth conditions.
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