SCOPUS
SCIE
Highly conformal carbon-doped SiCN films by plasma-enhanced chemical vapor deposition with enhanced barrier properties
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발행연도
2018
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-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
32-37(6쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>A plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) was developed for the growth of highly conformal carbon-doped silicon nitride (SiCN) films with enhanced barrier properties drawing on tunable carbon contents, k-values, and wet etch rates (WER). Trisilylamine (TSA) was used as the main precursor and hexane was used as a hydrocarbon-containing additive precursor for carbon doping. At low deposition temperatures ≤ 400 °C, we show that this PECVD process leads to the formation of SiCN films with good conformality of approximately 91% over high aspect ratio trench nanostructures (4.2:1) with a growth rate of ~2.5 (Å/cycle). In particular, the role of TSA and hexane precursors on the film growth mechanism and the k-values, and WER in the composite structures has been explored. The precursors were introduced pulse-wise into the reaction chamber while plasma was excited. The WER of the film was evaluated in a buffered hydrofluoric acid etchant. The k-value and carbon concentration varied depending on the TSA/hexane supply time in the ranges of 7–4.5 and around 6–40%, respectively. Analysis showed that the hexane precursor improved the WER of deposited SiCN films by more than a factor of 100 compared to when only TSA was used. The SiCN film with a thickness of 5.0 nm exhibited excellent prevention of moisture diffusion into the device. Furthermore, the step coverage was improved to equivalent conformality of the plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) by modifying the supply method of the Si and carbon precursors and the moisture barrier property was secured with thicknesses of <10 nm. In particular, the Si and carbon precursors are biased to maximize the process margin and control the film characteristics, where tuning can be easily implemented.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> Highly conformal carbon-doped SiCN films with enhanced barrier properties </LI> <LI> Employing trisilylamine (TSA) and hexane as the main/additive precursors in PECVD </LI> <LI> Conformality ≥ 90% and 100-fold WER enhancement compared to that with only TSA </LI> <LI> Excellent prevention of moisture diffusion by SiCN film with 50 Å deposition at 400 °C </LI> <LI> Potential to increase productivity and expand applicable substrates of dielectrics </LI> </UL> </P>
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