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저온버퍼의 원료공급비 변화가 GaN 박막의 극성에 주는 영향에 관한 연구 = Influence of the Source-Supplying Ratio during Low-Temperature Buffer Growth on the Polarity of GaN Films
The effect of the growth conditions for a low-temperature GaN (LT-GaN) buffer on the polarity of the GaN layer grown on c-plane sapphire by using gas-source molecular beam epitaxy has been investigated. We have observed a change in the crystal structure of the low-temperature buffer with changing V/III supply ratios and a related polarity change in the high-temperature GaN layer. The raman shift and the electron-backscatter diffraction (EBSD) pole figure measurements were used to determine the crystalline phase of LT-GaN. We found that the GaN layer with Ga polarity was only obtained for the hexagonal phase of the LT-GaN buffer. We explained this observation in terms of a change in the atomic arrangement induced by the stacking faults formed during the growth of the low-temperature buffer layer.
더보기본 연구에서는 가스소스 분자선 에피택시로 성장한 질화갈륨(GaN) 저온버퍼층의 성장조건에 따른 고온에서 성장된 GaN의 박막의 극성 변화에 관해 연구하였다. 저온버퍼 성장 시 V/III 공급비 변화가 저온버퍼의 결정구조를 결정하며, 저온버퍼의 결정구조가 고온에서 성장한 GaN의 극성(polarity)에 영향을 줌을 관찰하였다. 성장된 시료를 라만분광법(Raman spectroscopy)과 전자반사회절(electron backscatter diffraction, EBSD)의 극성도 (pole figure), 반사고속전자선회절 (reflection high energy electron diffraction, RHEED)을 통하여 분석한 결과, 저온버퍼 성장 시 육방정계 (Hexagonal)상과 입방정계 (cubic)상이 혼재된 경우에는 질소-극성을 갖는 GaN가 형성되며, 육방정계 (Hexagonal)상이 주도적인 경우에는 갈륨-극성을 갖는 GaN 박막이 형성되는 것을 알 수 있었다. 이러한 현상은 저온버퍼층 성장 시 발생한 적층결함의 영향에 의한 것으로 고찰하였다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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