I²L 공정을 이용한 ROM 설계 = ROM Design using I²L Process
저자
김강철 (진주농림전문대학 전지계산과 )
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1991
작성언어
Korean
주제어
KDC
104.000
자료형태
학술저널
수록면
47-56(10쪽)
제공처
소장기관
본 논문에서는 I^2L 공정을 이용하여 새로운 구조의 ROM을 PLA로 구현하였다 I^2 공정에서 사용되는 P^+ diffusion 은 bit 마다 약 40Ω이 되어 base series resistance가 출력 단자 사이에 영향을 미칠 수가 있으나 저항 Ri의 사용으로 negative feedback이 작용하여 Q1과 Q17 사이에 있는 모든 TR에 거의 같은 전류가 흘러 base series resistane가 무시될 수 있도록 PLA를 설계하였다.
First Run에서는 I^2L과 ROM 사이에 있는 interface TR에 isolation을 시키지 않아 lateral PNP TR이 발생하여 interface 부분이 제대로 동작하지 못하였다. 그러나 Second Run에서는 interface TR에 isolation을 시킨 결과 lateral PNP TR이 발생하지 않아 원하는 ROM 데이터를 얻을 수 있었다.
본 논문에서 사용된 ROM 구조를 사용할 경우에 bipolar공정을 이용하여 기존에 사용되었던 memory에 비하여 chip area를 상당히 줄일 수 있어 memory와 logic을 하나의 chip에 구현할 수 있을 것이다.
그러나 본 논문에서 사용된 ROM의 출력이 상당히 많아질 경우에는 P^+의 base series resistance가 켜져 각 출력 단자의 전류량이 다르게 될 수 있으므로 여기에 대한 연구가 계속되어야 할 것이다.
A novel PLA using I^2L process is implemented which has no isolation area between memory cells. In I^2L process the base series resistance of P^- diffusion, which has 40 sheet resistance by on bit area, has a great effect on the base current of N^+P^+N transistor, but this PLA is designed to neglect the effect of the base series resistance because of the external resistors(Ri) which have negative feedback effects on the ROM output circuits and make constant current flow in the base of N^+P^+N transistor.
The bipolar memory and the other bipolar circuit can be implemented in a single chip with this ROM structure.
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