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PLT(5) 박막의 Switching 및 Retention 특성에 관한 연구 = A Study on the Switching and Retention Characteristics of PLT(5) Thin Films
저자
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학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
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2005
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Korean
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KCI등재
자료형태
학술저널
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1-8(8쪽)
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We fabricate PLT(5) thin film on Pt/TiOx/SiO2/Si substrate by using sol-gel method and investigate leakage current, switching and retention properties. The leakage current density of PLT(5) thin film is 3.56×10-7A/cm2 at 4V. In the examination of switching properties, pulse voltage and load resistance were 2V~5V and 50Ω~3.3kΩ, respectively. Switching time has a tendency to decrease from 0.52μs to 0.14μs with the increase of pulse voltage, and also the time increases from 0.14μs to 13.7μs with the increase of load resistance. The activation energy obtained from the relation of applied pulse voltage and switching time is about 135kV/cm. The error of switched charge density between hysteresis loop and experiment of polarization switching is about 10%. Also, polarization in retention decreases as much as about 8% after 105s.
더보기Sol-gel 법을 이용하여 Pt/TiOx/SiO2/Si 기판 위에 3.14×10-4cm2 의 상부전극 면적을 갖는 PLT(5) 박막을 제작하여 스위칭 및 retention 특성에 대해 연구하였다. 4V 에서 3.56×10-7A/cm2 의 누설전류밀도 값을 갖는 우수한 PLT(5) 박막에 펄스전압을 2V 에서 5V 까지 인가하였다. 펄스전압 증가에 따라 스위칭 시간은 0.52μs 에서부터 0.14μs 까지 감소하는 경향을 나타냈으며, 부하저항을 50Ω 에서 3.3kΩ 으로 증가시킴에 따라 스위칭 시간이 0.14μs 에서 13.7μs 로 증가하는 것이 관찰되었다. 인가된 펄스 전압에 대한 스위칭 시간의 관계로부터 구한 활성화 에너지(Ea) 는 135kV/cm 이었다. PLT(5) 박막의 이력곡선과 분극 스위칭 실험으로부터 구한 switched charge density 사이의 오차는 약 10% 정도로 비교적 잘 일치하였으며, retention 특성은 105s 이후에도 약 8% 정도의 우수한 분극 감소 특성을 나타내었다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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