KCI등재
SCOPUS
혼합소스 HVPE 방법에 의한 질화물 반도체의 도핑 = Doping of Nitride Semiconductors by Using Mixed-source HVPE
저자
허인혜 (한국해양대학교) ; 안형수 (한국해양대학교) ; 김석환 (안동대학교) ; 김은주 (한국해양대학교) ; 시상기 (etc.) ; 심준환 (한국해양대학교) ; 양민 (한국해양대학교) ; 이재학 (etc.) ; 이충현 (한국해양대학교) ; 전헌수 (한국해양대학교) ; 조인성 (etc.) ; 한영훈 (한국해양대학교) ; 홍상현 (한국해양대학교) ; 황선령 (한국해양대학교)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2008
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
272-277(6쪽)
KCI 피인용횟수
5
제공처
The n-type GaN and p-type GaN layers were grown on a GaN/Al$_2$O$_3$
substrate by using metallic Ga mixed with a material dopant (Te or
Mg) of a mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method.
NH$_3$ and Te-Ga (or Mg-Ga) chloride formed by HCl flowing over Ga
mixed with Te (or Mg) were used. To investigate the reproducibility
of growth, we repetitively grew p-type GaN and n-type GaN by a
primigenial mixed-source. At the same time, we observed the change
in the properties of the epi-layers depend on the growth time. The
carrier concentrations of the n-type and the p-type GaN layers were
measured at 300 K by Hall effect measurements. The average carrier
concentration and the average mobility of the n-type GaN layer were
5.6 $\times$ 10$^{17}$/cm$^3$, and 83.9 cm$^2$/V$\cdot$s
respectively, and the average carrier concentration and the average
mobility of the p-type GaN layer were 4.6 $\times$ 10$^{17}$/cm$^3$
and 73.4 cm$^2$/V$\cdot$s, respectively.
Ga 금속에 도펀트 금속을 직접 녹인 혼합소스 (mixed-source) HVPE
(hydride vapor phase epitaxy) 성장방법을 이용하여 사파이어 기판 위에
n-type GaN 그리고 p-type GaN를 성장하였다. Ga 소스에 도펀트를 넣어
910 $^\circ$C에서 포화시킨 Te-Ga 금속 용액의 표면 위로 HCl을 흘려
(Te+Ga)Cl 을 형성시킨 후 암모니아 가스와 반응하게 하여 n-type GaN을
성장하였으며 p-type GaN는 Mg-Ga 금속 용액을 이용하여 암모니아 가스와
반응하게 하여 성장하였다. 성장 재현성 조사를 위해 처음 만든
혼합소스를 사용하여 반복적으로 성장하면서 성장시간에 따른 에피의
특성 변화를 알아 보았다. Hall 측정결과 n-type GaN 층의 캐리어 농도는
평균 5.6 $\times$ 10$^{17}$/cm$^3$ 이고 이동도는 83.9
cm$^2$/V$\cdot$s으로 측정되었고 p-type GaN 층의 캐리어 농도는 평균
7.8 $\times$ 10$^{16}$/cm$^3$ 이고 이동도는 91.8
cm$^2$/V$\cdot$s으로 나타났다. 이 결과 혼합소스 (mixed-source) HVPE
성장법은 질화물 반도체의 도핑에 유용한 방법임을 알 수 있었다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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