KCI등재
SCOPUS
급속 열화학 증착법으로 성장된 다주기-Si1-xGex quantum well의 GeH4와 SiH4의 가스비에 따른 구조적 특성 = Structural and Optical Properties for Multi-Staked Si1ကxGex QWs Grown by Using RTCVD with various GeH4/SiH4 Gas Ratios
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2004
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KCI등재,SCOPUS
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학술저널
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483-488(6쪽)
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Ten-staked Si$_{1-x}$Ge$_x$ quantum wells (QWs) have been grown on (100) n-Si substrates by using rapid-thermal chemical-vapor deposition (RTCVD). The Ge content and the thickness of Si$_{1-x}$Ge$_x$ quantum well were controlled using the GeH$_4$/SiH$_4$ gas ratio. To investigate the structural and the optical properties of ten-staked Si$_{1-x}$Ge$_x$ QWs, we performed transmission electron microscopy (TEM), Sccnning electron microscopy (SEM), high resolution x-ray (HR-XRD), an photoluminescence (PL) measuremennts. For the SiGe
QWs, when we used a gas ratio below 5 \% in the cross-sectional
TEM images we observed a uniform interface between the SiGe QWs
and the Si barrier. On the other hand, for the SiGe QWs when we
used gas ratios above 10 \%, the ngerface was not niform and
contained island formations. The M-B and P-B models confirmed theoretically that Si$_{1-x}$Ge$_x$ QW layers with thicknessed above a critical thickness could form islands. In order to investi-gate the optical properties of the ten-staked Si$_{1-x}$Ge$_x$ QWs, we performed PL measurement at 10 K. As the GeH$_4$/SiH$_4$ gas ratio
was increased, the NP and the TO signals of ten-staked Si$_{1-x}$Ge$_x$ QWs were shifted to
the lower energies were in the ranges from 1.035 to 0.894 eV and from 0.980 to 0.849 eV, espect-ively. From the PL data, the Ge contents was determined and wea calculated in the found to be in the range from 17 to 35 \%.
급속열화학증착법을 이용하여 n형 Si (100)기판 위에 10주기의 Si$_{1-x}$Ge$_x$ 양자우물 구조를 성장하였다. GeH$_4$/SiH$_4$ 가스비를 통해 Ge 함유량과 SiGe 양자우물 층의 두께를 조절하였으며, 성장된 시료들의 구조적, 광학적 특성을 확인하기 위해서 TEM, HR-XRD,SEM과 PL을 이용하여 분석하였다. 구조적으로 GeH$_4$/SiH$_4$
가스비가 5 \% 이하인 시료들은 SiGe 양자우물 층과 Si 장벽층의 계면이 일정하게 성장되는 것을 확인할 수 있었지만, 그 이상의 가스비에서는 양자우물 층이 균일하게 성장되지 않고 islands로 형성되는 것을 확인 할 수 있었다. 또한, Si$_{1-x}$Ge$_x$ 양자우물층이 임계두께이상에서 islands로 형성되는 것을 M-B와 P-B 모델을 이용하여 이론적으로 분석하였다. 또한, Si$_{1-x}$Ge$_x$ 양자우물층의 광학적 특성에서 GeH$_4$/SiH$_4$ 가스비가 증가함에 따라서 SiGe 양자우물 층에 해당하는 photoluminescence(PL) 신호가 낮은 에너지쪽으로 이동하는 것을 확인 할 수 있었으며, PL 신호중 NP
신호는 1.035에서 0.894 eV으로 TO 신호는 0.980에서 0.849 eV로 이동하는 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 에너지 신호 이동차이로부터 GeH$_4$/SiH$_4$ 가스비에 따라서 Ge 함유량 (x)을 확인할 수 있었다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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