KCI우수등재
SCOPUS
Characterization of Al Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Under Various Substrate Temperatures
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2014
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
279-283(5쪽)
제공처
Al doped ZnO thin films have been deposited by a RF magnetron sputtering technique from a ZnO (2 wt.% Al₂O₃) target onto glass substrates heated at temperature ranging from RT to 400℃. X-ray diffraction analysis shows that the deposits have a preferential growth along the c-axis of a hexagonal structure. The full with at half maximum decreases from 0.45 to 0.43° in the studied temperature range. The root main square surface roughness increases with substrate temperature from 1.89 to 2.67 nm. All films are transparent up to 80% in the visible wavelength range and the adsorption edge is red-shifted with substrate temperature from RT to 400℃. The sheet resistance increases from 92 ohm/sq to 419 ohm/sq when the deposition temperature increases from RT to 400℃. The increment of sheet resistance is caused by lowered carrier concentration resulting from an increase in surface roughness.
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