다공질 실리콘층의 형성을 위한 단결정 p-n 구조의 최적 공정 조건의 도출 = Extraction of Optimum Process Conditions on P-N Silicon Structure for Formation of Porous Silicon Layer
저자
김성진 (경남대학교 공과대학 전자공학과)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
KDC
602.000
자료형태
학술저널
수록면
13-21(9쪽)
제공처
단결성 실리콘상에서 국부적으로 다공질 실리콘층을 형성하기 위한 방법중에 하나는 양극 산화중에 반응 선택도를 이용하는 것이다. 이를 위해 적절한 p-n 단결성 실리콘 구조가 필요하며, 본 연구에서는 n 형의 에피층 상에서 국부적으로 이온 주입법에 의해 p 형으로 전환된 구조에 대해, 시뮬레이션을 통해 최적의 공정 조건을 구하였다. 최적 구조는 가능한 저 농도로 도핑된 n 형의 에피층과 함께 최종 공정후에 에피층의 유효 두께는 2 μm정도를 유지해야 하며, 에피층 위에 국부적으로 이온 주입된 영역은 완전히 p 층으로 전환되는 조건들을 만족시켜야 한다. 시뮬레이션에서는 에피 공정에서의 불순물 주입 농도와 에피층의 두께 그리고 어닐링 시간에 대한 영향을 고찰하였다.
The selectivity for reaction rate during anodic process is very useful to form localized porous silicon layer on a silicon wafer. Proper p-n structure of the single crystalline silicon is required to utilize the selectivity. A structure which is converted completely into p-type by ion implantation regionally over n-epi layer is suggested, and then simulation is done to obtain optimum process conditions against the structure. The structure must satisfy such conditions as possessing low doping density in n-epi layer, maintaining about 2 Nm junction depth of the epi layer after the final process, and converting into p-type over the area ion-implanted by boron. In this work, the effects of the doping concentration of the epi- layer and the initial thickness of the epi-layer. and the annealing time are investigated.
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