KCI우수등재
SCOPUS
Diamond 박막 성장에 미치는 Si 표면 영향의 AES에 의한 연구
저자
이철로(C. R. Lee) ; 신용현(Y. H. Shin) ; 임재영(J. Y. Leem) ; 정광화(K. H. Chung) ; 천병선(B. S. Chun)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1993
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
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수록면
199-208(10쪽)
제공처
Si 기판 표면상태 변화와 관련된 핵생성 자유에너지 증가에 따른 다이아몬드 박막성장 거동을 관찰하였다. 표면 연마조건 변화에 따른 3가지 기판(A-Si, B-Si, C-Si) 위에 동일한 성장조건으로 다이아몬드를 성장하였으며, 이때 형상인자와 관련된 자유에너지 관계는 ΔG_(A-Si)<ΔG_(B-Si)<ΔG_(C-Si)이다. AES, SEM, XRD, RHEED에 의해 각각의 박막 A, B, C를 조사한 결과, 핵생성 자유에너지가 가장 적은 A 박막은 (100) (110) 면이 지배적인 고품위 다이아몬드 박막이다. 자유에너지가 A에 비해 다소 적은 B 박막은 (111) 면이 지배적인 8면체 다이아몬드 박막이고, 자유에너지가 가장 적은 C 박막은 흑연이 많이 함유된 구상의 다이아몬드이다.
더보기The effect of nucleation free energy related to Si surface states on diamond film growth behavior has been studied. At first, the three kinds of diamond thin films (A, B, C) were deposited on various Si substrates (A-Si, B-Si, C-Si) whose surfaces were polished with 1 ㎛ diamond paste, 6 ㎛ Al₂O₃ powder and 12 ㎛ Al₂O₃ powder respectively. And then, relative nucleation free energy calculated is ΔG_(A-Si)<ΔG_(B-Si)<ΔG_(c-Si) Although there are some difference in grain size, shape and nucleation site, the thin films on A-Si and B-Si were diamond including a small amount of DLC which was confirmed by AES, SEM, XRD and RHEED. Namely, the diamonds of films (B) were not nucleated in scratches but in dents and larger in grain size compare with the film (C) of which diamond were nucleated not only scratches but also dents. And, the sphere diamond which is not general shape was grown on C-Si. After all, the sphere was turned out to be the diamond including much graphite as a result of the AES in situ depth profiling. Consequently, the diamond shape and quality grown on Si were changed from the crystal which the (100) and (110) planes were predominent to the crystal in which (111) plane was predominent, and next to sphere shape diamond including much graphite according as the nucleation free energy increases.
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