Sol-Gel Derived La_(1-x)Sr_(x)MnO₃(0.0≤x≤0.5) Oxide Thin Films = 졸-겔 법에 의한 La_(1-x)Sr_(x)MnO₃(0.0≤x≤0.5) 산화물 박막제조
저자
Shim, In-Bo (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2002
작성언어
English
KDC
374.4
자료형태
학술저널
수록면
143-152(10쪽)
중단사유
※ 저작자의 요청에 따라 해당 논문은 원문이 제공되지 않습니다.
소장기관
졸-겔법을 이용하여 초거대 자기저항 현상을 나타내는 페롭스카이트계 La_(1-x)Sr_(x)MnO₃(0.0≤x≤0.5) 산화물 박막을 제조하였다. LSMO 산화물 박막은 400-900℃의 온도 범위, 산소 분위기하에서 3시간 동안 열처리 공정을 수행하였으며, 상온에서 열처리 온도 변화에 따른 자화특성, 전도 특성 및 미세구조 변화를 연구하였다. 전도 특성 측정 결과 PLD등의 고진공 증착방법에서 나타내고 있는 전형적인 고유한 초거대 자기저항 곡선을 얻을 수 있었으며, 상온의 저 자기장 영역에서 터널형 자기저항 변화 곡선을 처음으로 관찰하였다. 이러한 결과로부터 졸-겔법으로 제조된 단순 단층구조의 LSMO 박막은 다층형 구조 보다 자기센서등의 디바이스 적용에 유리함을 알 수 있었다.
Perovskite-type La_(1-x)Sr_(x)MnO₃(0.0≤x≤0.5) colossal magnetoresistance thin films was synthesized through the simple sol-gel process. The thin films were annealed at different temperature of 400-900℃ in 0₂ atmosphere for 3 hours. Variation of .magnetization, magnetoresistivity, coercivity, and microstructure were studied as a function of annealing temperature at room temperature. In these measurements, we observed that the similar intrinsic colossal magnetoresistance behavior compared to La_(1-x)Sr_(x)MnO₃thin films with properties well known from films deposited by PLD or sputtering system. Also, we observed the first time that the tunneling magnetoresistance behavior in low-field at room temperature. From this result, the simple planar geometry of the thin films makes them more attractive for magnetic sensors and device applications than multilayered structures.
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