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TiO₂Interlayer의 상변화에 따른 PLZT 박막의 구조 및 전기적 특성 = The effects of TiO₂interlayer phase transition on structural and electrical properties of PLZT Thin Films
(Pb1.1,La0.08)(Zr0.65.Ti0.35)O3 thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si, TiO2(interlayer)/Pt/Ti/SiO2/Si substrate were fabricated by the R.F. magnetron-sputtering method and considered their characteristics depending on TiO2 interlayer. Changing the deposition conditions of TiO2 interlayer, we obtained TiO2 anatase single phase and rutile single phase. PLZT was deposited on these substrates and analyzed by x-ray diffraction(XRD) for there crystallinity and orientation. To investigate PLZT-TiO2, TiO2-Pt interface, glow discharge spectrometer(GDS) analysis was carried out and we performed electrical measurements for dielectric properties of PLZT thin films. The PLZT thin film on TiO2 anatase interlayer was found to have (110)-preferred orientation and 12.6 μC/cm2 remaining polarization value.
KeyWords:PLZT, RF magnetron sputtering, TiO2 interlayer
R.F. magnetron-sputtering 방법에 의해 (Pb1.1,La0.08)(Zr0.65.Ti0.35)O3 박막을 Pt/Ti/SiO2/Si, TiO2(interlayer)/Pt/Ti/SiO2/Si 기판에 증착하고, TiO2 interlayer에 의한 PLZT 박막의 특성을 고찰 하였다. TiO2 interlayer의 증착조건을 변화시켜가며 단일상의 anatase 상과 rutile 상을 증착하였고, 그 위에 증착시킨 PLZT 박막의 결정성을 x-ray diffraction(XRD)을 통해 분석하였다. 또한 TiO2 interlayer에 의한 PLZT-TiO2, TiO2-Pt 박막의 계면상태를 고찰하기 위해 glow discharge spectrometer(GDS) 분석을 행하였고, PLZT의 강유전 특성을 고찰하기 위해 전기적 측정을 행하였다. TiO2 anatase 단일 상에 증착한 PLZT의 경우 (110) 방향으로 우선 배향됨을 알 수 있었고, 12.6 μC/cm2의 잔류분극 값을 나타내었다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2014-06-16 | 학술지명변경 | 한글명 : Applied Science and Convergence Technology -> 한국진공학회지 | KCI등재 |
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2014-02-05 | 학술지명변경 | 한글명 : 한국진공학회지 -> ASCT외국어명 : Journal of the Koren Vacuum Society -> Applied Science and Convergence Technology | KCI등재 |
2014-01-01 | 학술지명변경 | 한글명 : 한국진공학회지 -> Applied Science and Convergence Technology | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-23 | 학술지명변경 | 외국어명 : Journal of the Koren Cacuum Society -> Journal of the Koren Vacuum Society | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
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기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.12 | 0.12 | 0.15 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
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