KCI등재
SCOPUS
CIGS 태양전지용 ZnS 박막증착에 관한 연구 = A Study on the Decomposition of ZnS Films for Use in CIGS Solar Cells
저자
이재희 (경일대학교)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2013
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
1333-1339(7쪽)
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0
제공처
Of film-type solar cells, CIGS solar cells have the highest solar cell conversion efficiency. Because of the large differences between the constants and the energy band gaps, of p-type CuInSe and n-type ZnO films, a CdS film is used as a buffer layer. However the process for doing that is wet, toxic and harmful. In this study, we upgraded an RF magnetron sputtering system for ZnS film decomposition in the case of CIGS solar cell manufacture and were able to fabricate a ZnS film with minimum plasma damage. The characteristics of the ZnS films were measured for various film thicknesses by using scanning electron microscopy (SEM), and atom force microscopy (AFM). We could obtained the optimum decomposition conditions for achieving a film uniformity of 1.65% of less by using feedback. We observed the surface grain morphology of the ZnS films by using SEM and AFM. We could fabricate a denser, more uniform ZnS film by using the upgraded sputtering system without the Cds buffer film than we could using the old sputtering system with the Cds buffer film that was fabricated using a wet, chemical process. Thus, we demonstrated that CIGS solar cells can be manufactured by using only a dry process.
더보기CIGS 태양전지는 박막형 태양전지 중에서 매우 높은 광전 변환효율을 가진다. p층인 CuInSe$_2$ 박막과 n층인 ZnO 박막사이의 격자상수와 에너지 밴드 갭의 큰 차이 때문에 버퍼층으로 CdS 박막이 필수적으로 사용되어져왔으나 CdS 박막 제조공정이 습식공정이며 유독하여 환경에 해롭고 제어성, 재현성, 신뢰성 관점에서 inline process가 적당하지 않다고 알려져 있다. 본 연구에서는 CIGS 태양전지의 제조에 있어, CdS 박막을 대체할 수 있는 ZnS 박막을 증착할 수 있도록 plasma damage를 최소로 하는 RF 마그네트론 스퍼터링 장비를 개선하였고, ZnS 박막을 제작하여 스물한곳의 위치의 두께를 측정하며 박막 두께의 균일를 조사하였다. SEM, AFM 등을 통하여 ZnS 박막의 표면 grain morphology를 관찰하였다. 또한 박막의 균일도가 1.65% 이내가 되는 최적 증착 조건을 도출하였다. 이 결과로부터 화학적 습식공정으로 제작한 CdS 박막보다 조직이 치밀하고 더욱 균일한 ZnS 박막을 스퍼터링 방법으로 제작할 수 있었으며 앞으로 습식공정 없이 건식공정으로만 고효율 CIGS 태양전지 제조가 가능함을 확인하였다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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