SCOPUS
KCI등재
양자점을 이용한 플래시 메모리 기반 뉴로모픽 소자 연구
저자
최지수(Jisoo Choi) ; 양정목(Jeongmok Yang) ; 김예은(Yeeun Kim) ; 강다현(Dahyun Kang) ; 박찬규(Changyu Park) ; 정소연(Soyeon Jung) ; 김석규(Seokgyu Kim) ; 김용덕(Yongduk Kim) ; 손병희(Byunghee Son) ; 장문규(Moongyu Jang)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2022
작성언어
Korean
주제어
KDC
42
등재정보
SCOPUS,KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
726-733(8쪽)
제공처
뇌에서는 외부 자극에 의해 뉴런들의 연관성이 높아지면 시냅스를 통하여 연결 강도가 달라지게 된다. 본 연구에서는 양자점을 사용하여 이러한 시냅스를 구현하는 소자를 제작하고 평탄대 전압을 변화시키며 메모리 효과를 확인하였다. Pt/Cr/Al₂O₃/Quantum Dots/SiO₂/Si 기판의 수직 구조를 가진 소자를 제작하였고, 소자의 동작을 위해 게이트 전극에 전압을 가하였다. 이때, 절연막 손상이 발생하지 않는 적절한 프로그래밍/이레이징 전압 범위 설정이 필요하므로 전류-전압을 측정하여 절연막의 항복 전압을 도출하였다. 이후, 적절한 프로그래밍 전압을 인가하며 정전용량-전압 측정을 진행하였고 이를 통해 양자점의 메모리 효과를 확인하였다. 우리는 소자에 인가하는 전압의 크기와 시간을 변경하며 양자점에 포획되는 전자의 수를 조절하였고, 양자점에 포획된 전자의 수에 따라 평탄화 전압을 변화시켜 여러 단계의 상태를 표현할 수 있었다. 이를 통해 상태가 다양한 강도의 아날로그 형태로 변화하는 시냅스 특성을 표현할 수 있는 가능성을 확인하였다.
더보기In the human brain, when the neuron association is increased by an external stimulation, the strength of the connection changes through the synapses. The semiconductor devices emulating these synapses are called neuromorphic devices. In this research, a device acting as a synapse was manufactured using quantum dots (QDs), and the memory effect was confirmed by changing the flatband voltage (VFB) through the injection and depletion of electrons into the QDs. The fabricated device contained a vertical gate stack Pt/Cr/QDs/Al₂O₃/SiO₂/Si substrate, and a current-voltage characteristic was used to determine the breakdown voltage and the select programming voltage within a range that did not affect the oxide. Subsequently, the capacitance-voltage was measured by applying the programming voltage, and the memory effect of QDs was confirmed. The number of electrons stored in QDs were adjusted by changing the voltage and time to the device, and the state of several steps was implemented by varying the VFB depending on the number of electrons stored in QDs. Through the manufactured device, we confirmed that the implementation of a synaptic device was possible with multiple connection strengths.
더보기분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)