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고에너지 볼 밀링이 Skutterudite계 CoSb3의 열전 및 전하 전송 특성에 미치는 영향 = Effect of High-Energy Ball Milling on Thermoelectric Transport Properties in CoSb3 Skutterudite
저자
남우현 (기초과학연구원 나노물질 및 화학반응연구단) ; 이정용 (기초과학연구원 나노물질 및 화학반응연구단) ; 임영수 (부경대학교) ; 맹은지 (한국세라믹기술원 에너지환경소재본부) ; 이순일 (한국세라믹기술원 에너지환경소재본부) ; 서원선 (한국세라믹기술원 에너지환경소재본부)
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2015
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
852-856(5쪽)
KCI 피인용횟수
0
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제공처
소장기관
본 연구에서는 고에너지 볼 밀링 공정이 In0.2Yb0.1Co4Sb12의 열전 및 전하 전송 특성에 미치는 영향에 대해 알아보았다. 볼 밀링 시간을 5, 10, 20분으로 조절하여 분말을 분쇄하였으며, 분쇄된 분말은 방전 플라즈마 소결법을 이용하여 소결되었다. 볼 밀링의 효과로 인해 소결체는 나노 및 마이크로 크기를 가지는 결정립으로 이루어져 있는 것을 미세구조 관찰을 통해 알아내었다. 고에너지 볼 밀링으로 인한 샘플의 구조적 변형이 충진 원자의 충진량을 감소시키기 때문에, 볼 밀링 시간이 증가할수록 소결체의 캐리어 농도는 감소하였다. 또한 볼 밀링으로 인한 결정립계 영역의 증가로 전자의 결정립계 산란이 증대되어 이동도도 감소하였다. 결과적으로 전기적 특성의 악화로 인해 소결체의 파워펙터 또한 볼 밀링의 시간이 증가할수록 감소하는 경향을 나타내었다.
더보기In this study, we investigate the effect of high-energy ball milling on thermoelectric transport properties in double-filled CoSb3 skutterudite (In0.2Yb0.1Co4Sb12). In0.2Yb0.1Co4Sb12 powders are milled using high-energy ball milling for different periods of time (0, 5, 10, and 20 min), and the milled powders are consolidated into bulk samples by spark plasma sintering. Microstructure analysis shows that the high-energy ball milled bulk samples are composed of nano- and micro-grains. Because the filling fractions are reduced in the bulk samples due to the kinetic energy of the high-energy ball milling, the carrier concentration of the bulk samples decreases with the ball milling time. Furthermore, the mobility of the bulk samples also decreases with the ball milling time due to enhanced grain boundary scattering of electrons. Reduction of electrical conductivity by ball milling has a decisive effect on thermoelectric transport in the bulk samples, power factor decreases with the ball milling time.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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