KCI등재
SCOPUS
화학 기상 증착법에 의해 제작한 그래핀의 CH4 유량에 따른 구조적, 광학적, 및 전기적 특성 연구 = CH4-flow-rate-dependent Structural, Optical, and Electrical Characteristics of CVD-grown Graphene
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2013
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Korean
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KCI등재,SCOPUS
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학술저널
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1301-1305(5쪽)
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Single-layer graphene is grown on Cu foils in a chemical vapor deposition (CVD) apparatus with the CH4 flow rate (FR) varied from 10 to 30 sccm, is chemically separated from the Cu foils, and is transferred to SiO2/Si on a quartz substrate. The graphene is shown to be composed of polycrystalline domains with boundaries by using atomic force microscopy. At FR = 20 sccm, the size of domains is largest, and the graphene’s surface is cleanest. The D, G, and 2D Raman peaks are observed at 1350, 1600, and 2680 cm−1, respectively, for all the specimens. The G-to-2D and the D-to-G intensity ratios are smallest at FR = 20 sccm, indicating thickness- and defectminimized growth of graphene, consistent with its having the smallest sheet resistance, the largest transmittance, and the highest electron/hole mobilities at the same FR. These results suggest that the properties of graphene are strongly affected by variations in the domain size and the boundary portion (i.e., the defect density) that result from changes in the CH4 flow rate.
더보기Cu foil 위에 화학 기상 증착법을 이용하여 CH_4 유량을 10에서 30sccm까지 변화시키면서 단층 그래핀을 형성한 후, Cu 촉매 기판으로부터분리하였으며, SiO2/Si 박막과 석영기판 위에 전사하였다. 원자 힘현미경으로 그래핀의 표면을 분석한 결과, 그래핀은 다양한 크기의도메인과 경계층을 갖는 다결정구조임을 확인하였다. 특히 유량이 20sccm에서 그래핀의 도메인 크기가 가장 컸으며 깨끗한 표면이관찰되었다. 그래핀과 관련된 D (1350 cm−1), G (1600 cm−1) x9 2D (2680 cm−1) 라만 최고점들의 세기의 비의분석에 의해 유량이 20 sccm에서 그래핀의 두께가 가장 얇으면서도결함이 가장 적은 것을 확인하였다. 이러한 결과는 같은 유량에서면저항이 가장 낮고 투과도 및 전자/정공 이동도가 가장 높다는 사실들과매우 부합된다. 이러한 CH_4 유량에 따른 그래핀의 특성 변화는 생성된그래핀의 도메인 크기 및 그에 따른 경계층 비율 (즉, 결함밀도)의변화와 밀접한 관련이 있음을 의미한다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
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2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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